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基于知识元的关联推理和知识发现: 基于知识元的方法关联推理和知识发现的研究是文本知识元挖掘应用的进一步探讨。目的在于针对美国情报学家DonR.Swanson教授提出的“非相关文献的知识发现”方法的不足，提出一种采用知识元关联推理的知识发现方法。Swans...; 孙明; 关键词：知识元数据挖掘; 文献传递

4H-SiC日盲紫外探测器的模拟与分析: 利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性。另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲线的影响，得出在探测器不需使用较大受光...; 叶丽辉张玉明张义门吕红亮孙明; 关键词：紫外探测器电学性能

基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析被引量：1: 2007年; 在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明,在低频条件下,陷阱会导致跨导和漏电导频散,漏电压越大,环境温度越高,频散越不明显。; 邵科曹全军张义门张玉明孙明; 关键词：4H-SIC MESFET 跨导频散

4H-SiC BJT增益稳定性模拟研究: 基于4H-SiC材料特性，在ISE仿真软件中建立4H-SiC BJT器件模型。该模型包含SiC/SiO2界面态和发射区-基区界面态，较好地反映了实际器件的直流工作特性。利用该模型分析了两种界面态对电流增益稳定性的影响，证...; 孙明张玉明张义门吕红亮邵科; 关键词：双极性晶体管稳定性分析电学性能数值模拟

4H-SiC BJT直流增益与RF特性模拟研究: 碳化硅禁带宽、击穿电场大、热导率高、电子饱和漂移速度快，在高温、高频、高辐射环境下有重要的应用前景，4H-SiC双极晶体管越来越受到人们的重视。本文对4H-SiC BJT的共射极电流增益及交流频率特性进行模拟和分析。主要...; 孙明; 关键词：碳化硅材料双极晶体管; 文献传递

A Simple Method of Surface Parameter Extraction for Gate Schottky Contact in 4H-SiC MESFETs: 2008年; We investigate the effects of the surface states on the Schottky contacts in 4H-SiC MESFET. The Ti/Pt/Au gate metal contacts are deposited by electron beam evaporation and patterned by a lift-off process. Based on thermionic theory,a simple parameter extraction method is developed for determination of the surface states in metal/4H-SiC Schottky contacts. The interface state density and interface capacitance are calculated to be 4. 386 × 10^12 cm^-2 · eV^- 1 and 6. 394 × 10^-6 F/cm^2 ,which are consistent with the device＇s terminal characteristics.; 吕红亮张义门张玉明车勇孙明

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孙明