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张炜

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电离
  • 1篇施主
  • 1篇物理学
  • 1篇击穿电压
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体物理
  • 1篇半导体物理学
  • 1篇ALGAN
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇HFET
  • 1篇表面态
  • 1篇场板
  • 1篇场板结构
  • 1篇2DEG

机构

  • 2篇中山大学

作者

  • 2篇刘扬
  • 2篇张金城
  • 2篇张炜
  • 2篇王硕
  • 1篇倪毅强
  • 1篇贺致远
  • 1篇杨帆
  • 1篇姚尧

传媒

  • 2篇中国科技论文

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
2014年
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。
杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬
关键词：半导体物理学
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响
2014年
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。
王硕张炜姚尧张金城刘扬
关键词：氮化镓场板结构击穿电压
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共1页<1>
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