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宋磊

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇铁电
  • 3篇乙烯
  • 3篇偏氟乙烯
  • 3篇氟乙烯
  • 2篇氧化铟
  • 2篇有机薄膜场效...
  • 2篇铁电材料
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇非易失性
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电晶体
  • 1篇电学性能
  • 1篇有机分子
  • 1篇元件
  • 1篇搜索
  • 1篇噻吩
  • 1篇芯片
  • 1篇黑盒

机构

  • 5篇南京大学

作者

  • 5篇宋磊
  • 3篇李昀
  • 3篇王宇
  • 3篇施毅
  • 1篇钱超

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种高性能非易失性铁电晶体管存储器制备
高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(...
李昀王宇宋磊木津泷塚越一仁施毅
文献传递
基于铁电有机材料的存储器件应用研究
近年来随着科学技术的快速进步，有机电子学也得到了迅速发展。而且由于有机电子器件与传统无机器件相比，尤其在材料的获取、工业生产过程以及实际应用等方面有着独特的性能，因此人们对有机材料、有机电子器件以及各种相关的有机电子器件...
宋磊
关键词：存储器件电学性能
文献传递
一种高性能非易失性铁电晶体管存储器制备
高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(...
李昀王宇宋磊木津泷塚越一仁施毅
一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器及制备
一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，以重参杂的p型硅为衬底，生长50‑250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20‑50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一层铁电聚合物材料即聚(偏氟...
李昀宋磊王宇施毅
文献传递
一种基于黑盒优化的芯片宏元件放置方法
本发明公开一种基于黑盒优化的芯片宏元件放置方法，宏元件放置的优化问题表述为：在满足宏元件之间不重叠的约束之下，确定每个宏元件的位置，使得这些宏元件的布线长度最短；使用半周长布线长度(half‑perimeter wire...
钱超侍昀琦薛轲宋磊
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