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黄维海

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:南开大学泰达学院微电子研究所更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇低压差
  • 1篇低压差线性稳...
  • 1篇电容
  • 1篇振荡器
  • 1篇振荡器设计
  • 1篇频率补偿
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压器
  • 1篇线性稳压器
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇LDMOS
  • 1篇LDO

机构

  • 2篇南开大学

作者

  • 2篇戴宇杰
  • 2篇吕英杰
  • 2篇张小兴
  • 2篇王洪来
  • 2篇黄维海

传媒

  • 2篇南开大学学报...

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用一种新的补偿方法实现低压差线性稳压器
2009年
使用一种新的频率补偿方法设计了一种100mA低压降CMOS线性稳压器(LDO).所设计的LDO仅使用了一个PMOS管进行补偿,无需使用电路内部其他的补偿电容和补偿电路就能保持稳定.使用0.18μm工艺仿真结果表明,设计的LDO使用4.7μF的负载电容,具有高的PSRR和很好的瞬态反应特性,在负载电流从0mA跳变到100mA以及从100mA跳变到0mA的时候,输出的变化小于8mV,反应时间小于1μs,且在1 kHz的时候PSRR为-72.3dB.
王洪来张小兴戴宇杰吕英杰黄维海
关键词:LDO频率补偿CMOS
基于LDMOS电容的振荡器设计
2009年
基于0.5μm CMOS工艺,考虑面积、功耗和工作状态中电容容值等因素,采用LDMOS电容来实现高精度频率的振荡器.一般的CMOS电容特性是非单调变化的,而LDMOS电容只工作在积累区和耗尽区,电容特性可近似理想电容.仿真和测试结果表明,在电源电压1.5~5V大范围变动的情况下,振荡频率稳定性高,达到设计预期效果.在给电容充电用的静态电流只有40nA的低电流条件下,振荡器模块中电容的版图面积只有65μm×65μm,而且LDMOS工艺和CMOS工艺兼容,可以在不增加工艺复杂度的前提下,用较小的版图面积产生高精度时钟信号.
黄维海戴宇杰张小兴吕英杰王洪来
关键词:LDMOS电容振荡器CMOS工艺
共1页<1>
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