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谢为

作品数：4 被引量：10H指数：1
供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术

主题

  • 4篇电致变色
  • 4篇溅射
  • 4篇非晶
  • 4篇WO3薄膜
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇氧流量
  • 2篇WO3
  • 1篇孪生
  • 1篇光学
  • 1篇薄膜光学
  • 1篇WO

机构

  • 4篇大连理工大学

作者

  • 4篇李国卿
  • 4篇王丽阁
  • 4篇胡远荣
  • 4篇谢为

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇全国薄膜技术...

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
中频孪生磁控溅射非晶WO3电致变色薄膜
采用中频孪生非平衡磁控溅射技术制备非晶、WO薄膜。X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计等测试手段分析薄膜的结构、表面形貌、成分以及透射光谱特性。研究了氧分压及热处理温度对薄膜电致变色性能的影响。...
王丽阁胡远荣李国卿谢为
关键词：电致变色WO3薄膜磁控溅射非晶
文献传递
中频孪生磁控溅射WO_3薄膜及变色性能研究被引量：10
2006年
采用先进的中频孪生非平衡磁控溅射技术，以金属钨为靶材，制备非晶态WO3电致变色薄膜。用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外分光光度计等测试手段分析薄膜的结构、表面形貌、成分以及透射光谱特性。研究了氧气流量比及热处理温度对WO3薄膜变色性能的影响。结果表明，中频孪生非平衡磁控溅射技术是制备WO3变色薄膜的一种有效方法；室温条件下沉积获得的原始态薄膜为非晶态WO3；提高氧气流量比和适当热处理温度能有效改善薄膜的电致变色性能。实验中在较高氧气流量比，200℃热处理条件下制备的薄膜在380-780nm的可见光范围内着色态和褪色态平均透光率差值高达50％以上，表现出较好的电致变色性能。
王丽阁胡远荣李国卿谢为
关键词：薄膜光学电致变色WO3薄膜磁控溅射非晶
氧流量和钛掺杂对WO3电致变色性能的影响
2006年
采用中频孪生磁控溅射技术制备非晶WO3薄膜.拉曼光谱、X射线衍射(XRD)、紫外分光光度计、计时安培分析仪等测试手段分析薄膜的结构、吸收光谱、透射光谱及响应时间.研究了氧流量和钛掺杂对薄膜电致变色性能的影响.结果表明:原始非晶态WO3薄膜在较高O2流量比份(＞ 95%)条件沉积时,表现出更好的变色性能,对于500 nm～800 nm可见光范围,薄膜的透光率差值大于60%.钛掺杂后吸收光谱向短波方向移动,且掺杂5%后,近紫外线区域吸收率明显提高.掺杂5%,10%后响应速度提高了1倍,但着色效率降低.
胡远荣王丽阁李国卿谢为
关键词：WO3薄膜电致变色磁控溅射非晶
氧流量和钛掺杂对WO3电致变色性能的影响
采用中频孪生磁控溅射技术制备非晶WO3薄膜。拉曼光谱、X射线衍射(XRD)、紫外分光光度计、计时安培分析仪等测试手段分析薄膜的结构、吸收光谱、透射光谱及响应时间。研究了氧流量和钛掺杂对薄膜电致变色性能的影响。结果表明:原...
胡远荣王丽阁李国卿谢为
关键词：WO3薄膜电致变色磁控溅射非晶
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