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薄昌忠

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇电子背散射衍...
  • 1篇EBSD

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇任峰
  • 1篇卢卓宇
  • 1篇范丽霞
  • 1篇付强
  • 1篇薄昌忠

传媒

  • 1篇武汉理工大学...

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
EBSD在InGaAsP/InP异质结构弹性应力区域的研究被引量:1
2007年
利用扫描电镜附件电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)技术,用菊池花样质量(IQ)作为应力敏感参数,研究了InGaAsP/InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。
范丽霞卢卓宇任峰薄昌忠付强
共1页<1>
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