荆丽
- 作品数：2 被引量：15H指数：2
- 供职机构：兰州交通大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：兰州市科技发展计划项目甘肃省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制被引量：10
- 2010年
- 利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。
- 吴蓉张娅妮荆丽
- 关键词：基准电压源自偏置共源共栅电源抑制比
- 高性能CMOS运算放大器的设计被引量：5
- 2011年
- 基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器。用CadenceSpectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1 MHz,建立时间1.06μs。版图面积为410μm×360μm。测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片。
- 王好德王永顺史琳荆丽赵文浩
- 关键词：运算放大器折叠式共源共栅模拟集成电路CMOS
