您的位置: 专家智库 > >

史琳

作品数:5 被引量:19H指数:3
供职机构:兰州交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金:甘肃省科技支撑计划兰州市科技发展计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇运算放大器
  • 2篇折叠式共源共...
  • 2篇共源共栅
  • 2篇放大器
  • 2篇CMOS运算...
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇低通
  • 1篇低通滤波
  • 1篇低通滤波器
  • 1篇低压
  • 1篇电路
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇抑制比
  • 1篇有源
  • 1篇有源滤波
  • 1篇有源滤波器

机构

  • 5篇兰州交通大学

作者

  • 5篇史琳
  • 4篇王好德
  • 3篇王永顺
  • 1篇荆丽
  • 1篇唐益文
  • 1篇赵文浩

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子科技
  • 1篇微电子学
  • 1篇山西电子技术

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于OrCAD/PSpice的波形发生电路设计仿真被引量:4
2011年
对正弦波振荡器工作原理及振荡电路的起振条件进行了分析与研究。根据LC三点式振荡电路的组成原则设计并改进了电容三点式振荡器电路,在O rCAD/PSp ice仿真软件中对电路进行了时域及频域仿真分析,给出了振荡波形,测量了振荡频率。仿真结果表明通过对电路的改进改善了波形,所设计电路波形与理论值相接近。
唐益文史琳
关键词:ORCAD/PSPICE正弦波振荡仿真
高性能CMOS运算放大器的设计被引量:5
2011年
基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器。用CadenceSpectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1 MHz,建立时间1.06μs。版图面积为410μm×360μm。测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片。
王好德王永顺史琳荆丽赵文浩
关键词:运算放大器折叠式共源共栅模拟集成电路CMOS
4阶Chebyshev有源滤波器的设计与实现被引量:1
2010年
提出了一种设计4阶Chebyshev有源滤波器的新方法。采用Pspice仿真软件对Chebyshev 4阶有源滤波器进行了仿真分析,结果表明该电路具有较高的稳定性。
王好德史琳
关键词:低通滤波器PSPICE软件
低压Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计被引量:2
2010年
基于0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有恒跨导输入级的轨对轨(rail-to-rail)低压CMOS运算放大器。采用折叠式共源共栅差分电流镜放大器输入级和改进的CMOS AB类输出级,实现了电源满幅度的输入输出和恒输入跨导。用Cadence Spectre仿真器,对整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益AV=70.6 dB,相位裕度PM=71°,单位增益带宽GB=1.37 MHz。芯片面积为0.7 mm×0.4 mm。实际测试结果与模拟结果基本一致。
王永顺王好德史琳
关键词:运算放大器低压恒跨导轨对轨折叠式共源共栅
一种输出可调CMOS带隙基准电压源的设计被引量:7
2010年
传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值。主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源。电路综合温度补偿、电流反馈和电阻分压技术,采用CSMC 0.5μm CMOS混合信号工艺实现,并用Cadence的Spectre进行了仿真优化。仿真结果表明,带隙基准电压源在-15~80℃范围内输出为603.5 mV时的温度系数为6.84×10-6/℃,在1.8~5 V电路均可正常工作。流片后的测试结果验证了该方法的可行性,基准电压中心值可宽范围调整,各项性能参数满足设计要求。
王永顺史琳王好德
关键词:互补金属氧化物半导体带隙基准输出可调温度系数电源抑制比
共1页<1>
聚类工具0