您的位置： 专家智库 > >

王清波

作品数：25 被引量：2H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇晶体管
  • 7篇电压
  • 7篇总剂量
  • 5篇总剂量辐射
  • 5篇晶体管结构
  • 5篇集电区
  • 5篇二极管
  • 5篇发射区
  • 4篇浓度梯度
  • 4篇抗辐射
  • 4篇PNP晶体管
  • 4篇掺杂
  • 3篇双极工艺
  • 3篇双极器件
  • 3篇稳压二极管
  • 3篇击穿电压
  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准电压
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻

机构

  • 25篇西安微电子技...

作者

  • 25篇王清波
  • 19篇赵杰
  • 18篇孙有民
  • 10篇薛智民
  • 8篇薛东风
  • 8篇杜欣荣
  • 4篇王勇
  • 4篇陈宝忠
  • 2篇魏海龙
  • 2篇廖雪
  • 2篇尤路
  • 1篇向宏莉
  • 1篇刘存生
  • 1篇吴兵

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇电子与封装
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 8篇2023
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2010
共 25 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种高厄利电压的双极器件及其制作方法
本发明公开了一种高厄利电压的双极器件及其制作方法，所述双极器件包括3个金属连线和衬底；衬底上方依次设置N埋层、第一外延层、第二外延层和SiO<Sub>2</Sub>层；3个金属连线分别穿过SiO<Sub>2</Sub>层...
任永宁陈宝忠孙有民王清波刘如征葛洪磊马朝柱刘依思
一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法
本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位...
王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣卓青青
一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法
本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火...
王清波薛东风薛智民孙有民赵杰
文献传递
一种双极带隙基准结构及工作方法
本发明公开了一种双极带隙基准结构及工作方法，属于电源管理领域，具体属于模拟集成电路领域，通过采用两个相同的PNP晶体管，可产生相等的支路电流，从而使得两个NPN晶体管的集电极电流相等，生成的与温度正相关的电流，在流经电阻...
李新瑞尤路廖雪魏海龙王勇王清波
一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
文献传递
一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法
本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之...
王成熙杜欣荣王清波赵杰卓青青温富刚
文献传递
一种光吸收能力强的光敏二极管及制备方法
本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工...
王成熙王英民赵杰王勇陈斌孙有民王清波温富刚
文献传递
一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法
本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NP...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
文献传递
一种低温漂的双极带隙基准电压源
本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿...
李新瑞尤路廖雪向宏莉魏海龙王勇王清波
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0