孙有民
- 作品数：40 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
- 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
- 赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
- 一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P...
- 孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
- 文献传递
- 一种光吸收能力强的光敏二极管及制备方法
- 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工...
- 王成熙王英民赵杰王勇陈斌孙有民王清波温富刚
- 文献传递
- 一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法
- 本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位...
- 王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣卓青青
- 一种高厄利电压的双极器件及其制作方法
- 本发明公开了一种高厄利电压的双极器件及其制作方法，所述双极器件包括3个金属连线和衬底；衬底上方依次设置N埋层、第一外延层、第二外延层和SiO<Sub>2</Sub>层；3个金属连线分别穿过SiO<Sub>2</Sub>层...
- 任永宁陈宝忠孙有民王清波刘如征葛洪磊马朝柱刘依思
- 文献传递
- 一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法
- 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内...
- 王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
- 文献传递
- 一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺
- 本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO<Sub>2</Sub>栅...
- 陈晓宇赵桂茹葛洪磊孙有民薛智民
- 文献传递
- 0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺研究
- 2013年
- 本文主要研究0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺中"硅LOSS"及"T腰"问题的形成机理.在不改变产品工艺流程的前提下,对多晶硅栅刻蚀工艺进行优化,提出"两步ME法"优化了刻蚀形貌,改善了硅LOSS、T腰的问题.满足0.35μm CMOS多晶形貌及工艺要求,具有一定的理论指导和实际意义.
- 公衍刚梁永杰刘存生孙有民
- 关键词：CMOSME
- 高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺被引量：1
- 2020年
- 针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构。对高温氧化(HTO)层、等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)和低压正硅酸乙酯(LPTEOS)三种CVD氧化层进行了对比,从中优选HTO层作为复合栅的CVD氧化层,制备了一款专用集成电路(ASIC),并使用60Co源γ射线对其进行3×103 Gy(Si)总剂量辐照试验。结果表明,HTO/SiO2复合栅能够满足电路的阈值电压、功耗、延时等参数要求,并具有较好的抗总剂量辐射性能。由于SiO2层和HTO层中缺陷线的错位排列,避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路,明显减少了电路与栅氧化层相关的早期失效。HTO/SiO2复合栅结构对于小尺寸(亚微米)CMOS和特种工艺器件的栅氧化层可靠性和抗辐射性能的提升具有一定的借鉴价值。
- 陈晓宇葛洪磊赵桂茹孙有民薛智民
- 关键词：CMOS总剂量效应
- 一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺
- 本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...
- 陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民
- 文献传递
