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杜颖

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇双掺
  • 1篇双掺杂
  • 1篇SI
  • 1篇铟
  • 1篇掺杂
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇周春锋
  • 1篇杨连生
  • 1篇刘晏凤
  • 1篇杜颖
  • 1篇李延强

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术被引量：1
2010年
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。
周春锋杨连生刘晏凤李延强杜颖
关键词：砷化镓单晶
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共1页<1>
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