刘文慧
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 采用聚硅氧烷SR355与纳米Ni粉混合物连接无压烧结SiC陶瓷被引量：7
- 2008年
- 无压烧结SiC陶瓷(SSiC)是重要的高温结构材料,连接技术是扩大其应用范围的关键技术之一。将活性填料纳米Ni粉添加到聚硅氧烷SR355中制成连接材料,通过反应成形连接工艺连接SSiC。研究了纳米Ni粉对SR355的裂解过程和陶瓷产率的影响,同时也研究了填料含量和连接温度对连接件强度的影响。结果表明,纳米Ni粉的加入促进了SR355的裂解并提高了其陶瓷产率。当纳米Ni粉含量为1%(质量分数)、连接温度为1050℃时,连接件经3次浸渍增强处理后的连接强度达到最大值。微观结构研究表明,连接层均匀致密,且与母材间界面结合良好,界面处发生了元素的扩散,纳米Ni粉在连接过程中参与了化学反应并促进了界面结合。
- 李树杰刘文慧卢越焜李星国毛样武
- 关键词：聚硅氧烷碳化硅
- 采用聚硅氧烷(HPSO/VPSO)和Al-Si粉连接无压烧结SiC陶瓷
- 无压烧结SiC陶瓷(SSiC)是重要的高温结构材料,连接技术是扩大其应用范围的关键技术之一.采用陶瓷先驱体含氢聚硅氧烷(HPso)与含乙烯基聚硅氧烷(vPso)为连接剂的主要组分,以A1-Si粉为填料,通过反应成形连接工...
- 李树杰陈孝飞刘文慧贺跃辉范学涛
- 关键词：陶瓷先驱体聚硅氧烷
- 采用聚硅氧烷(HPSO-VPSO)和Al-Si粉连接无压烧结SiC陶瓷被引量：1
- 2011年
- 采用含氢聚硅氧烷(HPSO)和含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)2种陶瓷先驱体作为连接剂的主要组分,以Al-Si粉为填料,通过反应成形连接工艺连接无压烧结碳化硅。采用热重法、差示扫描量热法和X射线衍射法研究了Al-Si粉对HPSO和VPSO的混合物(HPSO-VPSO)的裂解过程和陶瓷产率的影响,同时也研究了Al-Si粉含量、升温速率及连接温度对连接强度的影响。并采用扫描电镜和能谱仪对连接件界面区域的微观结构和成分进行了分析。Al-Si粉的加入促进了HPSO-VPSO的裂解,提高了陶瓷产率。当HPSO-VPSO与Al-Si粉质量比为1∶1,连接压力为50 kPa,连接温度为900℃,高温保温时间为30 min,升温速率为4℃/min时,所得连接件的连接强度(剪切强度)达到最大值93 MPa。连接层厚度约为75μm,结构均匀致密,连接层与母材结合良好,在界面处没有明显的裂纹、孔洞等缺陷。Al、Si元素在连接层与无压烧结碳化硅的界面处发生了扩散,促进了界面结合,从而提高了连接强度。
- 李树杰陈孝飞刘文慧贺跃辉范学涛
- 关键词：陶瓷先驱体聚硅氧烷
- 聚硅氧烷HPSO-VPSO体系的交联和裂解被引量：1
- 2013年
- 陶瓷及陶瓷基复合材料的连接技术具有重要的工程意义。鉴于采用以含氢聚硅氧烷（HPSO）和含乙烯基聚硅氧烷（VPSO）的混合物（用HPSO-VPSO表示）为主要成分的连接剂能够有效地连接SiC陶瓷,采用热重法（TG）、差热扫描量热法（DSC）、红外光谱（IR）以及X射线衍射（XRD）研究HPSO-VPSO体系的交联和裂解过程。试验结果表明,氯铂酸催化剂能促进HPSO-VPSO体系的交联,从而提高体系的陶瓷产率。HPSO-VPSO从室温到1 200℃的质量耗损约为45%,主要的质量耗损过程发生在370~825℃之间。在1 300℃及以下裂解产物为非晶态物质,在1 300~1 400℃范围内裂解产物发生结晶,形成SiC和SiO2晶体。
- 李树杰张岚陈孝飞刘文慧席文君
- 关键词：陶瓷先驱体聚硅氧烷交联裂解
- 聚硅氧烷HPSO-VPSO体系的交联和裂解
- 陶瓷及陶瓷基复合材料的连接技术具有重要的工程意义。鉴于采用以含氢聚硅氧烷(HPSO)和含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)的混合物(用HPSO-VPSO表示)为主要成分的连接剂能够有效连接SiC陶瓷，本文采用热重法(TG)、差热...
- LI Shujie李树杰ZHANG Lan张岚CHEN Xiaofei陈孝飞LIU Wenhui刘文慧
- 关键词：陶瓷复合材料聚硅氧烷裂解反应
