柯君玉
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
- 2008年
- 利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应.经900℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.
- 王柱柯君玉李辉庞锦标戴益群赵有文
- 关键词：正电子氧化锌
- 重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究被引量：1
- 2007年
- 用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.
- 李辉柯君玉庞锦标汪兵戴益群王柱
- 关键词：正电子寿命电子辐照质子辐照
