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汪兵

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子辐照
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇寿命研究
  • 1篇GASB

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇戴益群
  • 1篇王柱
  • 1篇李辉
  • 1篇庞锦标
  • 1篇柯君玉
  • 1篇汪兵

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究被引量：1
2007年
用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.
李辉柯君玉庞锦标汪兵戴益群王柱
关键词：正电子寿命电子辐照质子辐照
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