马军礼
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省国际科技合作计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 磁控溅射法结合异位退火制备MgB_2超导薄膜的研究被引量：2
- 2015年
- 采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB_2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB_2薄膜超导特性的影响。通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分析退火及溅射的工艺参数对MgB_2超导薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能的影响。研究表明,退火温度为670℃,退火时间为2h,MgB_2靶溅射功率控制在300W,Ar溅射气压保持为2Pa,MgB_2薄膜表现出最优的超导特性,其临界电流密度Jc为1.8×105A/cm2。
- 马军礼张松吴燕平王旭崔瑞瑞邓朝勇
- 关键词：磁控溅射MGB2超导薄膜退火
- 退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响被引量：1
- 2015年
- 采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出Mg B_2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对Mg B_2薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的Mg B_2薄膜超导转变温度T_(c(onset))为39.5K,超导转变宽度ΔT_c为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高。证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高Mg B_2的超导性能。
- 马军礼张松付尧王旭邓朝勇
- 关键词：MGB2化学气相沉积超导薄膜退火工艺
- MgB2超导薄膜的制备
- MgB2是一种简单的二元半金属化合物，超导转变温度可达到39K，接近甚至突破了传统BCS理论关于简单金属间化合物超导转变温度的极限，使其在超导电子学器件方面拥有巨大的潜在应用价值。本论文中，我们采用磁控溅射法（MS）结合...
- 马军礼
- 关键词：二硼化镁超导薄膜金属化合物磁控溅射法超导特性
- 芘掺杂对MgB_2薄膜超导性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用芘粉(C_(16)H_(10))作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB_2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。结果显示,随着C_(16)H_(10)掺杂量的增加,晶格常数a逐渐变小,MgB_2的晶粒逐渐细化。所有的掺杂样品都表现出比纯净样品更好的载流能力。当C_(16)H_(10)掺杂量达到0.2g时,MgB_2薄膜的临界电流密度(Jc)和不可逆场表现出最佳的性能。掺杂0.2g的样品在5K,3T的Jc为1.12×10~4 A/cm^2,高于纯净样品Jc一个数量级,说明了掺杂样品的磁通钉扎能力得到了显著的提高。
- 张松马军礼付尧王旭罗子江邓朝勇
- 关键词：掺杂临界电流密度磁通钉扎
