吴燕平
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：贵州大学大数据与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省国际科技合作计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 前驱B膜沉积时间对MgB_2薄膜超导特性的影响被引量：1
- 2014年
- 利用化学气相沉积法(CVD)在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜,研究了前驱硼膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响,通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征。延长前驱硼膜的沉积时间,得到的硼膜结晶度越高,结构更致密。经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接,提升T c值。该实验沉积10min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜T c值为34K,且超导转变宽度比较窄。延长前驱硼膜沉积时间到15min后,薄膜的T c值降低,这是由于前驱硼膜较多,Mg和硼反应不充分所导致的。
- 吴燕平张松付尧王旭邓朝勇
- 关键词：MGB2超导薄膜化学气相沉积
- 磁控溅射法结合异位退火制备MgB_2超导薄膜的研究被引量：2
- 2015年
- 采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB_2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB_2薄膜超导特性的影响。通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分析退火及溅射的工艺参数对MgB_2超导薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能的影响。研究表明,退火温度为670℃,退火时间为2h,MgB_2靶溅射功率控制在300W,Ar溅射气压保持为2Pa,MgB_2薄膜表现出最优的超导特性,其临界电流密度Jc为1.8×105A/cm2。
- 马军礼张松吴燕平王旭崔瑞瑞邓朝勇
- 关键词：磁控溅射MGB2超导薄膜退火
- MgB_2超导材料掺杂研究进展被引量：3
- 2013年
- 元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义。介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因。
- 付尧张松吴燕平邓朝勇
- 关键词：MGB2临界电流密度SIC掺杂
