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王小娜

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇栅介质
  • 1篇CEO2
  • 1篇HFO
  • 1篇掺杂
  • 1篇HFO2

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇杜军
  • 1篇屠海令
  • 1篇熊玉华
  • 1篇张心强
  • 1篇杨萌萌
  • 1篇王小娜

传媒

  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CeO_2掺杂对HfO_2栅介质电学特性的影响被引量：6
2012年
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位生成能增大,氧空位数目减少,漏电流较纯HfO2下降了一个数量级,满足作为高k材料的要求。
杨萌萌屠海令张心强熊玉华王小娜杜军
关键词：CEO2HFO2掺杂
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共1页<1>
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