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李华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：齐鲁师范学院物理与电子工程学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇晶体
  • 1篇光吸收
  • 1篇KDP晶体
  • 1篇AS

机构

  • 1篇齐鲁师范学院

作者

  • 1篇沙贝
  • 1篇闫静
  • 1篇李华
  • 1篇孙刚
  • 1篇高慧

传媒

  • 1篇延边大学学报...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
As代P点缺陷对KDP晶体近紫外光损伤的影响
2015年
通过基于第一性原理的CASTEP软件计算发现,KDP晶体中As代P点缺陷的形成能约是4.0eV,说明晶体中比较容易形成这种点缺陷.通过模拟点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度发现,As替代P后,晶体能带宽度变为6.2 eV,这有可能会造成晶体对波长为355 nm的双光子吸收.As替代P后,As—O四面体体积增加,有利于金属离子以填隙的方式进入晶体,间接影响晶体光损伤阈值.
高慧沙贝孙刚李华闫静
关键词：KDP晶体AS光吸收
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