公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证被引量：3: 2014年; 利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。; 陈睿冯颖余永涛上官士鹏封国强朱翔马英起韩建伟; 关键词：CMOS器件脉冲激光

全选清除导出

共1页<1>

冯颖