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石秀丽

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
发文基金:新疆维吾尔自治区科技支疆项目更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇化学工程

主题

  • 2篇陶瓷
  • 2篇无压烧结
  • 2篇SIC陶瓷
  • 2篇表面形貌
  • 1篇烧结助剂
  • 1篇水化
  • 1篇水化反应
  • 1篇水化硅酸钙
  • 1篇水化过程
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅陶瓷
  • 1篇助烧剂
  • 1篇物相
  • 1篇物相组成
  • 1篇相组成
  • 1篇面形
  • 1篇硅酸
  • 1篇硅酸钙
  • 1篇SIC
  • 1篇X射线衍射分...

机构

  • 4篇伊犁师范学院
  • 2篇南京大学

作者

  • 4篇石秀丽
  • 3篇鹿桂花
  • 3篇周恒为
  • 2篇李志鹏
  • 2篇鲁媛媛
  • 2篇张晓旭
  • 2篇朱强
  • 2篇朱丹丹
  • 1篇张丽
  • 1篇卫来
  • 1篇董肖
  • 1篇尹红梅
  • 1篇马玉兰
  • 1篇夏欢
  • 1篇薛明明
  • 1篇肖宇
  • 1篇玛迪娜
  • 1篇张晓媛

传媒

  • 4篇伊犁师范学院...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
MgO-CeO_2-Y_2O_3为助烧剂SiC陶瓷的无压烧结及物相与表面形貌研究被引量:1
2016年
以Mg O-Ce O_2-Y_2O_3为助烧剂,采用无压液相烧结法,在1 900℃下制备Si C陶瓷.利用XRD、SEM和精密体积密度分析测试仪对陶瓷样品表面氧化产物相组成、微观形貌及体密度进行了检测分析.结果表明:各陶瓷样品的主晶相均为6H-Si C;助烧剂为wt.%(5%Mg O-3%Ce O_2-2%Y_2O_3)所制备的碳化硅陶瓷所形成的颗粒较为光滑,颗粒尺寸较为均匀,其孔隙相对较小;随着助烧剂氧化铈含量的增多,样品质量损失减少,体密度增大.
朱丹丹朱强鲁媛媛石秀丽李志鹏马玉兰周恒为鹿桂花尹红梅
关键词:助烧剂无压烧结表面形貌
硅酸钙水化过程的X射线衍射分析被引量:4
2015年
对水化反应不同时间的硅酸钙水化产物进行了X射线衍射(XRD)研究,并与未水化的无水硅酸钙进行了对比.结果表明:硅酸钙水化过程中,其无定型相对应的弥散峰相对强度逐渐降低,同时水化硅酸钙(C-S-H)衍射峰相对强度逐渐上升.此外,还观察到氢氧化钙(CH)晶相对应的衍射峰相对强度呈先增后减变化,证实了在硅酸钙水化反应早期,溶液中CH浓度逐渐增大形成过饱和溶液,进而生成CH晶相并增多.随着水化反应的进行,溶液中CH浓度降低,从而导致CH晶相溶解进而减少.
肖宇张晓媛石秀丽张丽鹿桂花周恒为卫来
关键词:水化硅酸钙水化反应C-S-H
SiC+La_2O_3-Y_2O_3系列陶瓷结构与形貌的研究被引量:1
2015年
以La2O3-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下采用液相无压烧结法制备了SiC陶瓷,利用XRD和SEM方法研究了Si C+(La2O3-Y2O3)系列陶瓷的结构及表面形态.结果表明,SiC+(La2O3-Y2O3)系列陶瓷烧结体内主晶相均为6H型的Si C相,也有少量的SiO2,Y2Si2O7,Y4.67(SiO4)3O,La4.67(SiO4)3O相,且烧结助剂含量不同,上述相应相中的衍射峰强弱不同.陶瓷试样烧结体随着烧结助剂质量分数由11%增加到19%,晶粒棱角越清晰,SiC晶粒趋于均匀分布.
石秀丽张晓旭夏欢鲁媛媛朱丹丹鹿桂花周恒为
关键词:SIC物相组成表面形态
Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂对SiC陶瓷表面形貌的影响被引量:4
2015年
利用Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观形貌.结果表明:烧结助剂为wt(2%Al2O3+4%MgO+4%Y2O3)所制备的SiC陶瓷所形成的颗粒较为光滑,且孔隙相对较小.
张晓旭石秀丽朱强玛迪娜李志鹏董肖薛明明
关键词:碳化硅陶瓷烧结助剂无压烧结
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