王国立
- 作品数：10 被引量：14H指数：2
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学冶金工程更多>>
- 掺Al富Si/SiO_2薄膜制备及紫外发光特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（FFIR）、光致发光（PL）和光致发光激发谱（PLE）检测。结果表明SiO2薄膜中存在纳米Si晶粒，并且含有AlOx成分。室温下，可以观察到位于3．24～3．42ev的较强紫外光致发光，其发光强度随退火温度和Al含量的变化而变化。分析表明该发光带与SiO2中的氧空位缺陷有关，缺陷分布与纳米＆的形成以及不同Al含量的氧化有关，从而影响薄膜发光强度。
- 王国立郭亨群
- 关键词：铝掺杂射频磁控溅射
- Z扫描法研究nc-Si／SiNx多量子阱材料非线性光学特性被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料。对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质。采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性。实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强。
- 沈海波郭亨群王国立王加贤吴志军宋江婷徐骏陈坤基王启明
- 关键词：Z-扫描非线性折射率
- 纳米碳化钨粉的制备和晶粒粗化动力学研究
- 2009年
- 用工业化生产设备制备纳米碳化钨粉,采用XRD、BET、SEM、FESEM、TEM对样品的物相、粒度及其分布进行了表征,研究了不同退火温度和不同退火保温时间对晶粒大小的影响。实验结果表明,纳米碳化钨粉粒度为90nm左右时大多数近似球形。对纳米WC晶粒长大机理进行了研究,发现温度是影响纳米WC晶粒长大的一个重要因素,随着退火温度的升高,纳米WC晶粒尺寸增大,而且纳米WC晶粒粗化符合经典的LSW理论。
- 张春华郭亨群王国立宋志华吴冲浒吴其山
- 关键词：粒度表征晶粒
- 纳米碳化钨粉体的热稳定性研究被引量：1
- 2009年
- 以工业化生产设备条件制备纳米碳化钨粉末,对样品在不同温度下退火,采用X射线衍射法(XRD)、比表面积法(BET)、冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、激光光散射法对退火前后样品的物相、粒度及其分布进行表征。研究结果表明,温度是影响纳米WC颗粒长大的一个重要因素,随着退火温度升高,纳米WC颗粒尺寸随之增大。同时在不同升温速率下测的DSC吸收峰值,计算了纳米WC颗粒的长大激活能。在此基础上,对实验现象产生的原因进行了分析讨论。
- 张春华郭亨群王国立宋志华吴冲浒吴其山
- 关键词：粒度表征
- 多量子阱InGaAsP实现Nd:YAG激光器被动锁模被引量：1
- 2009年
- 采用InGaAsP多量子阱作为可饱和吸收体,以及Nd∶YAG激光器的耦合输出镜,实现1.06μm激光的被动锁模运转.当激光器腔长为115 cm时,在平凹腔结构中获得平均脉宽23 ps、能量7 mJ的单脉冲序列;在平凸腔结构获得平均脉宽21 ps、能量10.5 mJ的单脉冲序列.比较平凹腔和平凸腔结构的Nd∶YAG激光器的锁模效果,并根据样品结构和可饱和吸收体被动锁模理论,分析半导体多量子阱材料InGaAsP实现被动锁模的机理.
- 苏培林王加贤王国立张峻诚
- 关键词：INGAASP被动锁模多量子阱
- 纳米钨粉体的表征及其晶格畸变分析被引量：5
- 2009年
- 以工业化生产技术成功地制备了不同粒径的纳米W粉体,采用EDS、SEM和XRD对样品的含量、形貌、物相进行了表征,并计算了其晶格参数和晶胞体积。结果表明,纳米W粉体为bcc晶态结构,晶格发生收缩;随着晶粒尺寸的减小,晶格参数和晶胞体积收缩率增大,且晶格畸变率与粒径的倒数呈正比线性关系。
- 宋志华郭亨群张春华王国立吴冲浒吴其山吴志军
- 关键词：晶格畸变
- 采用半导体量子阱薄膜实现Nd:YAG激光器被动锁模被引量：1
- 2009年
- 采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法在InP衬底上低温生长6个周期的InGaAsP多量子薄膜,薄膜对1.06μm激光的小信号透过率为23%。该薄膜兼作Nd:YAG激光器的可饱和吸收体及耦合输出镜,实现1.064μm激光的被动锁模运转,获得平均脉宽23 ps,能量15 mJ的单脉冲序列。采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备4个周期的Si/SiNx多量子阱薄膜,样品在氮气环境下以1000℃退火30 min后,插入Nd:YAG激光器腔内,实现1.064μm激光的被动锁模,获得脉宽30 ps的脉冲序列。多量子阱半导体薄膜作为可饱和吸收体实现激光器的被动锁模具有成本低、设计和制作简单、运转稳定和使用方便的优点。
- 王加贤王国立苏培林郭亨群
- 关键词：激光技术被动锁模ND:YAG激光器
- a-Si/a-SiN_x超晶格材料光学特性被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料。利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究。结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应。在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成。
- 张春华郭亨群王国立申继伟徐骏陈坤基
- 关键词：量子限制效应射频磁控反应溅射
- nc-Si／SiNx超晶格薄膜实现Nd：YAG激光器调Q和锁模被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm时,获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。
- 王国立郭亨群苏培林张春华王启明徐骏陈坤基
- 关键词：超晶格薄膜调Q锁模射频磁控反应溅射
- SiN薄膜三阶非线性增强的研究
- 2009年
- 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征。采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应。
- 宋江婷郭亨群王加贤吴志军王国立沈海波徐骏陈坤基王启明
- 关键词：射频磁控反应溅射光学非线性量子限域效应Z扫描
