杨雪莹
- 作品数：2 被引量：3H指数：2
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>
- SRAM数据残留现象的机理分析被引量：2
- 2008年
- 通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系。确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因。同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响。
- 焦慧芳张小波贾新章杨雪莹钟征宇
- 关键词：SRAM数据残留载流子复合热载流子效应
- 静态随机存储器数据残留特性研究被引量：2
- 2006年
- 通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。
- 焦慧芳张小波贾新章杨雪莹钟征宇
- 关键词：静态随机存储器数据残留温度待机电流
