钟征宇
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- SRAM数据残留现象的机理分析被引量：2
- 2008年
- 通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系。确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因。同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响。
- 焦慧芳张小波贾新章杨雪莹钟征宇
- 关键词：SRAM数据残留载流子复合热载流子效应
- TH-E:MOS器件可靠性寿命综合模拟软件
- 该文中描述了一种典型的MOSFET可靠性模拟软件，软件中不仅包括针对N型和P型MOSFET器件中热载流子效应、TDDB效应以及电迁移效应的单一机理软件件模块，而且还包括热载流子效应和TDDB效应的综合模拟以及上述三种失效...
- 罗宏伟孔学东钟征宇谭超元
- 关键词：MOS器件热载流子效应
- 文献传递
- IDDQ测试技术及其实现方法被引量：3
- 1999年
- ＩＤＤＱ（即静态电源电流）测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＯＳ集成电路测试技术。ＩＤＤＱ测试能够检测出传统的固定值故障电压测试（即ＳＡＦ功能测试）所无法检测的ＣＭＯＳ集成电路内部的缺陷（如氧化层短路，穿通等），所以，能够明显提高ＣＭＯＳ集成电路的使用可靠性。本文叙述了ＩＤＤＱ测试的基本原理和ＩＤＤＱ测试在集成电路测试系统上的实现方法及测试实例。
- 谭超元钟征宇
- 关键词：电流测试CMOS可靠性集成电路
- 一种集成电路可靠性的综合模拟方法
- 该文介绍了一种集成电路可靠性的综合模拟方法。将电路模拟分析中常用的蒙特卡罗分析方法应用于集成电路可靠性的模拟分析，得到了一种可以模拟多种失效机理的可靠性模拟软件。该软件只需要经过一次模拟就可以得到描述两种失效机理的失效率...
- 谭超元钟征宇
- 关键词：集成电路可靠性分析
- 文献传递
- 电子元器件静电放电敏感度(ESDS)检测被引量：2
- 2003年
- 静电放电敏感度(ESDS)是电子元器件的重要可靠性参数之一。本文从检测目的、标准波形、检测标准及委托程序几个方面阐述了ESDS的检测方法。
- 来萍钟征宇邝贤军
- 关键词：电子元器件可靠性标准波形
- 应用虚拟仪器(VI)技术开发集成电电路闩锁测试系统被引量：1
- 2003年
- 闩锁(latch-up)效应严重影响了CMOS集成电路的可靠性,如何对其进行快速有效地测试是很有必要的。本文主要介绍了代表了当今世界测试仪器技术发展方向的虚拟仪器技术(VI)及其在开发集成电路闩锁测试系统过程中的应用。
- 钟征宇
- 关键词：虚拟仪器闩锁效应CMOS集成电路
- 静态随机存储器数据残留特性研究被引量：2
- 2006年
- 通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。
- 焦慧芳张小波贾新章杨雪莹钟征宇
- 关键词：静态随机存储器数据残留温度待机电流
