杨建文
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响
- 2016年
- 本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.
- 孟婷杨建文张智翔张群谢汉萍
- 关键词：薄膜晶体管氧流量
- 铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究被引量：1
- 2017年
- 采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6%时达到最佳的电学性能:载流子迁移率为7.5cm^2/(V·s),开关比为3×10~8,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了氧空位,从而抑制了半导体沟道层中的载流子浓度,对a-IZO-TFTs的总体电学性能改善起到较大的作用.
- 皮树斌杨建文韩炎兵张群
- 非晶铟锌钨氧化物薄膜晶体管的电学性能和稳定性研究被引量：1
- 2018年
- 采用射频磁控溅射法制备了非晶铟锌钨氧化物(a-IZWO)薄膜和以此半导体薄膜为沟道层的薄膜晶体管。研究了沟道宽长比和退火时间对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比为400μm:400μm的器件经过120min200℃空气退火后其电学性能达到最佳,场效应迁移率达到7.29 cm^2/Vs,阈值电压为-2.86 V,电流开关比超过10~7,亚阈值摆幅低至0.13 V/decade。偏压稳定性测试结果证实了器件的偏压稳定性主要受到沟道层缺陷、背沟道表面氧离子和H_2O^+离子吸附等因素的影响。随着器件沟道宽长比不断增大,退火时间不断延长,器件受到这些因素的影响变小,稳定性越来越好。
- 康皓清傅若凡杨建文张群
- 关键词：薄膜晶体管电学性能稳定性
- 沟道层厚度对非晶掺钨氧化锡薄膜晶体管的影响
- 自从以非晶IGZO为沟道层制备的氧化物薄膜晶体管(TFT)问世以来,非晶氧化物TFT一直被认为是新型显示技术领域取代传统硅基TFT的重要候选者.但是,In是一种非常宝贵的资源,不仅在地球上含量少,并且价格非常昂贵.因此为...
- 杨建文杨曌张群
- 非晶氧化锡铋薄膜晶体管偏压稳定性的研究
- 2019年
- 本文通过射频磁控溅射方法,在Si-SiO2衬底上制备了底栅层错型的非晶氧化锡铋(a-SnBiO)薄膜晶体管(TFTs),并表现出优良的开关特性.所制备的a-SnBiO TFTs阈值电压为0.7V,开关比为2.0×107.并且,通过在环境真空中的测试研究了a-SnBiO TFTs的偏压稳定性.研究发现,无论在正偏压下还是负偏压下,a-SnBiO TFTs均展现出了负向阈值电压漂移现象.这是由于沟道层内部缺陷态过多造成,偏压下氧空位相关缺陷电离产生自由载流子,使得沟道层中载流子浓度增加,造成阈值电压向负方向漂移.
- 傅若凡杨建文张群
- 关键词：薄膜晶体管
- 氧化锡基薄膜晶体管的掺杂研究
- 自从2004 年Hosono 小组在Nature 杂志上发表非晶IGZO 薄膜晶体管(TFT)以来,氧化物TFT 以其高迁移率、高均匀性、高透明性和可低温制备的优点[1],作为研究热点一直持续了十多年.2012 年IGZ...
- 杨建文张群
- 关键词：薄膜晶体管氧化锡掺杂剂磁控溅射
