孟婷
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响
- 2016年
- 本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.
- 孟婷杨建文张智翔张群谢汉萍
- 关键词：薄膜晶体管氧流量
