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张松

作品数:6 被引量:28H指数:3
供职机构:江南大学理学院更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:动力工程及工程热物理电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 3篇硅太阳电池
  • 2篇钝化
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇各向异性腐蚀
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇少子寿命
  • 1篇声阻抗
  • 1篇四甲基
  • 1篇四甲基氢氧化...
  • 1篇酞菁
  • 1篇酞菁铜
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇氢氧化

机构

  • 6篇江南大学
  • 5篇江苏省(尚德...
  • 1篇无锡尚德电力...

作者

  • 6篇李果华
  • 6篇张松
  • 3篇吴文娟
  • 3篇顾晓峰
  • 2篇王振交
  • 2篇席曦
  • 2篇赵素香
  • 1篇施正荣
  • 1篇李文佳
  • 1篇吴甲奇
  • 1篇韩培育
  • 1篇季静佳
  • 1篇季静佳
  • 1篇张光春

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
快速制备单晶Si片绒面的研究被引量:10
2011年
太阳电池单晶Si片表面制绒已是一项成熟的工艺,但普遍制绒时间较长。为提高制绒效率,本课题研究了较短时间内NaOH/异丙醇(IPA)体系制绒时的温度、时间、溶液组分对绒面的影响,以及制绒前去损伤的优劣。最终实现了,在含2.5%NaOH(质量百分比,下同)和10%IPA的溶液中,80℃恒温处理15 min即可制备出比较均匀的绒面。溶液中加入3%Na2SiO3,效果更佳,反射率最低可达9.5%。并发现去损伤后制绒效果并不理想,同时还研究了表面活性剂1,4-环己二醇(CHX)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)代替异丙醇制绒。研究发现,异丙醇仍然是性价比较好的添加剂。
吴文娟张松韩培育覃榆森季静佳顾晓峰李果华
关键词:各向异性腐蚀太阳电池
四甲基氢氧化铵应用于单晶硅高效制绒被引量:8
2011年
以十二烷基硫酸钠(sodium dodecyl sulfate,SDS)或Na2SiO3作为表面活性剂,用四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)/异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)作为腐蚀剂代替传统的NaOH/IPA腐蚀剂制备单晶硅绒面。研究去除硅表面的切割损伤层、溶液中的TMAH含量、腐蚀时间和温度,以及加入SDS对绒面的影响。结果表明:制绒前对硅片的清洗和去损伤层不利于高效率制绒;硅片在含有2%(质量分数,下同)TMAH/5%IPA的腐蚀液,80℃恒温腐蚀10 min即可制备均匀的具有金字塔结构的减反射绒面;腐蚀液中加入硅酸钠和SDS可以减小金字塔尺寸,降低表面反射率,提高绒面的质量。
吴文娟张松张立元覃榆森季静佳顾晓峰李果华
关键词:四甲基氢氧化铵各向异性腐蚀太阳能电池
链式氧化制备SiO_2膜的研究被引量:1
2012年
研究了应用链式扩散设备对经过制绒、清洗、扩散和刻蚀处理后的单晶P型硅片进行热氧化SiO2膜的生长。采用准稳态光电导衰减法(QSSPC)在室温条件下对氧化前后硅片的少子寿命进行测试,探讨了氧化工艺条件对少子寿命、SiO2薄膜质量的影响机理,并对氧化工艺进行了优化。实验结果表明:在氧气流量为20L/min,带速为13i/m,氧化工艺区阶梯式温度设置为600、800、800、800、800、800、850和900℃时,链式氧化后硅片少子寿命达到42.5μs,SiO2膜的厚度适合,结构致密;在不影响减反效果的情况下,获得了良好的钝化效果。
张松席曦王振交唐宁季静佳李果华
关键词:硅太阳电池SIO2膜少子寿命钝化
酞菁铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定被引量:1
2010年
基于目前采用的膜厚仪中缺少必要的有机材料的参数(密度和声阻抗),采用真空蒸镀法,在抛光硅片上蒸镀不同显示值厚度下的酞菁铜薄膜,利用椭偏仪测量其真实膜厚,并使用数学软件MATLAB,结合膜厚仪实时监控原理进行理论计算,拟合得到酞菁铜薄膜的参数——声阻抗Zf=0.01 g/cm3.s,薄膜密度Df=6.68 g/cm3。验证实验结果表明,此参数输入膜厚仪中可以比较精确地控制薄膜厚度,显示值和实际测量值的差距约为3 nm。
张松席曦李文佳吴甲奇顾晓峰季静佳李果华
关键词:真空蒸镀膜厚声阻抗
多晶硅太阳电池双面钝化的研究
降低多晶硅太阳电池背表面少子复合速率,提高少子寿命,采用了多晶硅太阳电池双面钝化结构.实验采用SiO2/SiNx 叠层膜作为双面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成背面局部接触.经过快速热处理,少子寿命有明显的提升.实验结果显...
赵素香季静佳施正荣张松王振交李果华朱海东吴文娟陈如龙杨健张光春
关键词:多晶硅太阳电池
PERC结构多晶硅太阳电池的研究被引量:10
2012年
高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标。多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差。背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术。通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池。采用恒光源I-V特性测试系统测试其电性能,结果表明:较之常规铝背场多晶硅太阳电池,PERC结构电池在开路电压Voc、短路电流密度Jsc、转换效率η方面分别提高了13 mV、1.8 mA/cm2和0.67%(绝对值),其转换效率达到17.27%。PERC结构多晶硅电池采用了常规丝网印刷工艺,有利于实现高效多晶硅电池的产业化生产,具有很高的实际意义。
赵素香张松王振交李果华季静佳
关键词:多晶硅太阳电池SIO2
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