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吕宝华

作品数:6 被引量:1H指数:1
供职机构:山西师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 4篇铁电
  • 2篇导体
  • 2篇源极
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁电半导体
  • 2篇铁电性
  • 2篇奇数
  • 2篇漏极
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇溅射
  • 2篇沟道
  • 2篇半导体
  • 2篇磁控
  • 1篇电极
  • 1篇多态
  • 1篇氧化铪
  • 1篇英文
  • 1篇室温铁磁性

机构

  • 6篇山西师范大学

作者

  • 6篇吕宝华
  • 4篇许小红
  • 2篇江凤仙
  • 1篇全志勇
  • 1篇范九萍
  • 1篇李小丽
  • 1篇张军
  • 1篇王朱良
  • 1篇田宝强

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇中北大学学报...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种晶体管器件及其应用和制备
本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道,沟道与晶体管器件的源极和漏极连接,沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法,以及该种晶体管器件的制备...
薛武红许小红杨瑞龙吕宝华次文娟庞瑞雪
一种晶体管器件及其应用和制备
本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道,沟道与晶体管器件的源极和漏极连接,沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法,以及该种晶体管器件的制备...
薛武红许小红杨瑞龙吕宝华次文娟庞瑞雪
基片温度对Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的影响(英文)被引量:1
2008年
采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08~0.31%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明:Al2O3(001)基片很好地诱导了ZnCoO薄膜(002)取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大。紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co^2+取代了ZnO中Zn^2+的位置。
王朱良李小丽江凤仙田宝强吕宝华许小红
关键词:磁控共溅射基片温度铁磁性
一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法
本发明属于磁电耦合材料制备技术领域,具体涉及一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法。该异质结构包括依次层叠设置的衬底、氧化铪层、铁磁层和铂电极;氧化铪层为具有铁电性的掺杂氧化铪;铁磁层为CoFe<Sub>2</...
全志勇王美美张笑肖政昱吕宝华张军许小红
文献传递
BN及Ag对FePt薄膜结构和磁性的影响
2009年
采用磁控溅射在玻璃基片上制备了BN/FePt/Ag薄膜,并在550℃真空退火30 min.用振动样品磁强计和X射线衍射仪研究了薄膜的磁特性和微观结构.结果表明:BN的厚度影响了BN/FePt/Ag薄膜的有序度和矫顽力,而且BN的添加有效地抑制了FePt粒子的长大,较薄的BN更有利于FePt由FCC向FCT相转变.此外,Ag的位置对提高[BN/FePt]5/Ag薄膜的垂直取向有一定的影响,总厚度为3.75 nm的Ag掺杂在BN与FePt之间要比在顶层更利于FePt垂直取向.
范九萍江凤仙吕宝华
关键词:磁控溅射矫顽力
二维2H α-In2Se3纳米片的制备和铁电性研究
二维(2D)层状铁电材料因其在原子薄层依然保持稳定铁电性而受到人们的广泛关注。它们不仅对探索维度与铁电顺序之间相互作用非常重要,而且可以很好地解决传统铁电材料面临的问题,实现超高密度信息存储以及其它功能的新型应用。其中,...
吕宝华
关键词:铁电性
共1页<1>
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