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冯世安

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:北京科技大学更多>>

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇石墨
  • 2篇一维纳米
  • 2篇石墨烯
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米材料
  • 2篇金属泡沫
  • 2篇发射电流
  • 2篇场发射阴极
  • 1篇应变传感
  • 1篇应变传感器
  • 1篇响应度
  • 1篇颗粒膜
  • 1篇感器
  • 1篇穿戴
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 3篇北京科技大学

作者

  • 3篇张跃
  • 3篇冯世安
  • 2篇廖庆亮
  • 2篇丁一
  • 2篇赵璇
  • 1篇顾有松
  • 1篇徐玉亮

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法
本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域,提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极,包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层;石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间,石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米...
张跃罗宝和廖庆亮赵璇丁一冯世安
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一种高灵敏柔性可穿戴应变传感器及其低成本制作方法
本发明属于传感器领域,具体涉及一种高灵敏柔性可穿戴应变传感器及其低成本制作方法。所述传感器包括柔性基底、位于柔性基底上的敏感层和位于敏感层两端的电极,敏感层为石墨纳米颗粒膜,敏感层使用热蒸发沉积方式制备。本发明的传感器的...
张跃顾有松陈峰岭徐玉亮冯世安
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3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法
本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域,提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极,包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层;石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间,石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米...
张跃罗宝和廖庆亮赵璇丁一冯世安
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共1页<1>
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