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连宇翔

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学理学院更多>>
发文基金：吉林省教育厅科技计划项目吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇溅射
  • 1篇AL
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇场发射
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇长春理工大学

作者

  • 1篇孙贯成
  • 1篇汪剑波
  • 1篇于淼
  • 1篇冯禹
  • 1篇连宇翔
  • 1篇吴成泽
  • 1篇龚楠

传媒

  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
射频磁控溅射AlN薄膜的场发射性能研究
2017年
氮化铝(Al N)是一种宽禁带深紫外半导体材料,其良好的性能可作为紫外固态光源。采用射频磁控溅射法,在p型Si(100)衬底上制备了Al N薄膜。通过X射线衍射分析(XRD)、紫外-可见光光谱(UV-Vis)、场发射测试对制备的Al N薄膜进行了测试分析,针对薄膜生长特性对光吸收的影响及其场发射性能进行了研究。结果显示:在Si衬底上成功的制备了高度(002)取向的Al N薄膜,薄膜在230~250nm间有强紫外吸收,阈值电场为6.39V/μm。场发射测试结果表明,磁控溅射法制备的Al N薄膜具备良好的场发射性。
吴成泽汪剑波龚楠冯禹连宇翔孙贯成于淼
关键词：磁控溅射AL禁带宽度
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