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贺琪
作品数:
27
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团第五十八研究所
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
洪根深
中国电子科技集团第五十八研究所
谢儒彬
中国电子科技集团第五十八研究所
顾祥
中国电子科技集团第五十八研究所
李燕妃
中国电子科技集团第五十八研究所
郑若成
中国电子科技集团第五十八研究所
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贺琪
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一种Flash开关单元结构及其制备方法
本发明公开一种Flash开关单元结构的制备方法,属于微电子器件领域。在同一衬底上制备编程管T1、信号传输管T2和擦除管T3。编程管T1用来进行单元的编程操作、擦除管T3用来进行单元的擦除操作、信号传输管T2与外围逻辑电路...
宋思德
刘国柱
陈浩然
郑若成
张海良
贺琪
一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构
本发明公开一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOSESD保护器件结构,属于半导体集成电路领域。本发明将N型源漏注入层次缩至有源区TO层里面,工艺上通过光刻来实现,这样的设计可以有效解决抗辐射加固注入工艺导致的保护器件击穿电...
顾祥
贺琪
张庆东
谢儒彬
吴建伟
文献传递
高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法
本申请公开了一种高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法,属于存储器制造技术领域,所述高抗辐射磁随机存储器件包括:衬底;形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管;磁性隧道结存储单元,所述磁性隧道结存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方...
施辉
张海良
徐何军
曹利超
王印权
吴建伟
洪根深
贺琪
文献传递
提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法
本发明公开一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法,属于MOSFET制备领域。提供衬底,在其表面形成外延层;制作不同深度与宽度P阱,形成倒三角P阱;制作源端和体接触端;进行低温湿氧氧化SiO2生长;进行多晶硅的...
徐海铭
贺琪
廖远宝
徐政
吴素贞
唐新宇
一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法
本发明公开一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法,属于MOSFET制备领域。提供衬底,在其表面形成外延层;按照P阱光罩的图形制作形成P阱形貌;制作源端和体接触端;在表面生长栅氧氧化SiO2形成栅氧氧化层;在栅氧氧...
徐海铭
贺琪
廖远宝
吴素贞
徐政
唐新宇
文献传递
一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法,属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层,并结...
吴素贞
徐政
徐海铭
洪根深
贺琪
赵文彬
吴建伟
谢儒彬
文献传递
薄硅膜SOI器件辐射效应研究
被引量:1
2020年
为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用^60Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制。对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估。
贺琪
顾祥
纪旭明
李金航
赵晓松
关键词:
硅膜
阈值电压
静态电流
一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法,属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底,在其表面形成外延层;制作P阱;制作源端和体接触端;进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长;进行低温栅氧干氧...
徐海铭
徐政
贺琪
洪根深
吴建伟
赵文斌
廖远宝
文献传递
台阶处光刻工艺的优化与研究
2013年
光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶Swing Curve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响,分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌;二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。
贺琪
张世权
刘国柱
一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法
本发明公开一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法,属于半导体领域。在高压PMOS器件和高压ESD器件中同时形成第三P型掺杂区,高压ESD器件的触发电压由第三P型掺杂区和N型外延层的结击穿决定,根据电路的工作电压,可以进...
李燕妃
孙家林
朱少立
谢儒彬
顾祥
吴建伟
洪根深
贺琪
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