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一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法: 本发明公开一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法，属于半导体领域，适用于抗辐射高压体硅与SOI工艺，实现具有无回滞效应的高压GGNMOS ESD器件。本发明中，第一N型掺杂区作为耐压区域，其掺杂浓度较低，能够...; 汪煜李燕妃谢儒彬洪根深

一种总剂量辐射加固特性表征器件: 本发明公开了一种总剂量辐射加固特性表征器件，涉及半导体器件领域，包括衬底、位于所述衬底上的场氧化层、制备于场氧化层上的栅电极以及分布于场氧化层两侧的第一有源区与第二有源区，其中，所述第一有源区至少包括第一导电类型第一掺杂...; 李燕妃谢儒彬洪根深

一种MOSFET功率器件的制备方法: 本发明提供了一种MOSFET功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。对器件敏感区域注入光刻，形成RH光罩的图形；按照RH光罩的图形注入非活性杂质离子。使得MOSFET功率器件的敏感区增加了外延硅层的缺陷数量，降低其在单...; 徐海铭吴素贞洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃; 文献传递

Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性: 2018年; 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现其＂开/关＂态功能。同时,对其＂开/关＂态特性进行表征,研究其耐久性和电荷保持特性,最后,对其抗总剂量（TID）能力进行评估。实验结果表明：该器件的＂T1编程-T2擦除＂与＂T1擦除-T2编程＂态均可以实现信号传输管的＂开/关＂态功能,其阈值窗口的均值约为10.5 V;在工作电压为-1.2 V条件下,T3管的＂开＂态驱动电流均值约为0.92 mA,＂关＂态漏电流低于40 pA,且均表现出了良好的一致性。同时,该器件的循环擦/写次数可达10 000次,在25℃的＂开/关＂态应力条件下寿命大于10年,抗总剂量能力可达150 krad（Si）以上。; 刘国柱洪根深洪根深于宗光赵文彬吴素贞吴素贞李燕妃

一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法: 本发明涉及一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法，该隔离结构包括P型衬底、埋氧化层、SOI材料顶层硅、全介质隔离槽、部分介质隔离槽、线性氧化层和氧化层或氧化绝缘层，全介质隔离槽和部分介质隔离槽位于SOI材料顶层硅内且在...; 李燕妃朱少立吴建伟洪根深; 文献传递

一种精确控制占空比的集成振荡器: 本发明涉及一种精确控制占空比的集成振荡器，包括偏置电流镜I1、I2，NMOS晶体管N1～N6，电容C1～C3，电阻R1，比较器CMP，反相器INV，还包含缓冲器BUF，其中偏置电流镜I1的第一输入端接电源VDD，偏置电流...; 黄少卿常红李燕妃罗永波宣志斌肖培磊; 文献传递

一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法: 本发明提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，属于集成电路技术领域。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活...; 徐海铭洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃吴素贞; 文献传递

高压抗辐射横向MOSFET器件: 本发明涉及一种高压抗辐射横向MOSFET器件。其包括：器件基底，包括第一导电类型衬底以及位于第一导电类型衬底上的第二导电类型漂移区；器件单元，制备在所述第二导电类型漂移区，包括栅源有源区以及位于所述栅源有源区内圈的漏极有...; 李燕妃孙家林丁兵谢儒彬洪根深

一种抗辐射加固的半导体器件结构: 本发明涉及一种抗辐射加固的半导体器件结构，包括衬底，衬底包括正面，在衬底的正面进行正面工艺，以同时制备得到常压功率器件单元以及高压功率器件单元；常压功率器件单元内包含至少一个常压功率器件，高压功率器件单元内包含至少一个高...; 李燕妃孙家林丁兵谢儒彬洪根深

非易失性高速FPGA的存储模块、器件及SOI工艺实现方法: 本发明涉及集成电路半导体技术领域，具体涉及一种非易失性高速FPGA的存储模块、器件及其SOI工艺实现方法，包括P型衬底、埋氧化层、STI隔离区、隧穿介质层、电荷存储层、阻挡介质层、第一栅氧化层、第一N型重掺杂区、第二N型...; 朱少立吴建伟李燕妃王印权谢儒彬崔青唐登轩

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李燕妃