王东方
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制被引量：3
- 2011年
- 为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为150GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到10.2dB.6×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT的截止频率为32GHz,最大振荡频率为92GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到8.5dB.器件的击穿电压在60V以上.
- 王东方袁婷婷魏珂刘新宇刘果果
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管KA波段毫米波
- Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究被引量：1
- 2009年
- 为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4μm左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义。
- 王东方刘新宇
- 关键词：ALGAN/GANHEMT高电子迁移率晶体管KA波段
