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袁婷婷

作品数:61 被引量:22H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信医药卫生自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 46篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 24篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 19篇电路
  • 17篇放大器
  • 15篇功率放大
  • 15篇功率放大器
  • 10篇集成电路
  • 9篇ALGAN/...
  • 9篇DOHERT...
  • 7篇微带
  • 7篇宽带
  • 6篇氮化镓
  • 6篇电压
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇匹配电路
  • 5篇微波开关
  • 5篇微带型
  • 5篇寄生参数
  • 5篇KU波段
  • 4篇带型
  • 4篇电路技术
  • 4篇电源

机构

  • 61篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 61篇袁婷婷
  • 56篇刘新宇
  • 41篇陈晓娟
  • 24篇罗卫军
  • 23篇庞磊
  • 20篇陈中子
  • 19篇魏珂
  • 17篇刘果果
  • 9篇李滨
  • 8篇王鑫华
  • 8篇蒲颜
  • 7篇王建辉
  • 7篇王亮
  • 7篇阎跃鹏
  • 7篇陈高鹏
  • 7篇金智
  • 4篇姚小江
  • 4篇欧阳思华
  • 4篇郑英奎
  • 3篇张辉

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇电子器件
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 8篇2014
  • 5篇2013
  • 10篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 9篇2008
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于改进型级间匹配的Doherty功率放大器
本发明涉及一种基于改进型级间匹配的Doherty功率放大器,属于射频功率放大器技术领域,解决了现有的Doherty功率放大器将驱动输出匹配网络和功分器分离造成的放大器尺寸较大且工作效率较低的问题。驱动功率放大电路包括驱动...
元赛飞刘果果狄皓月袁婷婷陈晓娟魏珂刘新宇
氮化镓基液体传感器及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓基液体传感器,包括:欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底;所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构;所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlG...
罗卫军陈晓娟袁婷婷庞磊刘新宇
文献传递
9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器被引量:4
2021年
基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响,输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配,拓展了电路的宽带特性。测试结果表明,该放大器在9~15 GHz工作频率内,连续波饱和输出功率大于28 dBm,功率附加效率为35%~45%,功率回退至19 dBm下时,IMD3小于-34 dBc,该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm。
徐鼎陈晓娟胡俊袁婷婷
关键词:谐波抑制宽带匹配
一种多栅指GaN HEMTs
本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs,属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指,等温栅指的各个栅指之间的距离为<Image file="DDA000008248936000001...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊袁婷婷
一种测量FET沟道温度的装置及方法
本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置,属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用,在FET栅端施加脉冲电压,从而测量FET沟道温度;该装置结构简单,使用简便、快捷,成本低廉。同时,本发明还公开了利用该...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军
文献传递
一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法
本发明公开了一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法,其中AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀包括Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化层刻蚀以及AlGaN/GaN层刻蚀,该监控方法是分...
袁婷婷魏珂郑英奎刘新宇
文献传递
基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量:7
2008年
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.
曾轩陈晓娟刘果果袁婷婷陈中子张辉王亮李诚瞻庞磊刘新宇刘键
关键词:ALGAN/GANHEMT内匹配功率合成
一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构
本发明公开了一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构,该波导结构包括波导腔和波导内腔两个部分,该波导腔由两段并行的标准方波导构成,该两段并行的标准方波导通过波导内腔连接,每段标准方波导具有两个端,每端作为该波导结构的一个...
陈晓娟刘新宇阎跃鹏陈中子袁婷婷陈高鹏
文献传递
Ku波段开关固态功放模块的研制
2008年
实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路为15.75~16.25GHz频段,隔离度大于95dB,插入损耗小于4dB,同时提出了改进两路输出功率不平衡度的方案,对系统结构进行合理优化。最终实现Ku波段开关固态功放模块在15.75~16.25GHz工作频段内,输出功率为30dBm,且两路功率不平衡度小于0.7dB,系统隔离度大于70dB,电压驻波比小于1.4,系统尺寸为65mm×40mm×15mm。
袁婷婷陈晓娟陈中子陈高鹏李滨刘新宇
关键词:KU波段微波开关高隔离度功放模块
4~12GHz三级宽带功率放大器被引量:1
2008年
设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4~12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4~12GHz功率增益为30±3dB,输出功率大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能在全频段内小于-7dB。
陈中子陈晓娟姚小江袁婷婷刘新宇李滨
关键词:宽带功率放大器平衡放大器兰格耦合器混合集成电路
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