您的位置： 专家智库 > >

罗卫军

作品数：115 被引量：31H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程电气工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 80篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 53篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇医药卫生
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 35篇电路
  • 19篇氮化镓
  • 17篇晶体管
  • 16篇集成电路
  • 16篇放大器
  • 15篇功率放大
  • 15篇功率放大器
  • 13篇迁移率
  • 13篇衬底
  • 12篇金属
  • 12篇HEMT
  • 11篇ALGAN/...
  • 10篇单片
  • 10篇场效应
  • 9篇电阻
  • 9篇功率器件
  • 8篇单片集成
  • 8篇单片集成电路
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化铝

机构

  • 95篇中国科学院微...
  • 24篇中国科学院
  • 6篇中国科学院大...
  • 5篇西安电子科技...
  • 2篇武汉理工大学
  • 2篇四川龙瑞微电...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇兰州交通大学

作者

  • 115篇罗卫军
  • 70篇刘新宇
  • 56篇陈晓娟
  • 36篇庞磊
  • 24篇袁婷婷
  • 23篇王晓亮
  • 18篇魏珂
  • 18篇汪宁
  • 16篇肖红领
  • 14篇王翠梅
  • 13篇胡国新
  • 12篇刘果果
  • 11篇李晋闽
  • 11篇冉军学
  • 11篇马志勇
  • 10篇刘辉
  • 8篇孙朋朋
  • 7篇李建平
  • 7篇王鑫华
  • 7篇金智

传媒

  • 11篇Journa...
  • 6篇第十四届全国...
  • 5篇半导体技术
  • 3篇电子器件
  • 2篇物理学报
  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇科学中国人
  • 1篇功能材料
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 11篇2014
  • 13篇2013
  • 19篇2012
  • 6篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
  • 9篇2007
  • 9篇2006
共 115 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种降压转换器、降压转换方法及降压转换芯片
本发明公开一种降压转换器、降压转换方法及降压转换芯片，涉及集成电路技术领域，以解决现有技术中降压转换器结构复杂、能源损耗大的问题。所述降压转换器包括：依次电连接的主动放大电路、二极管电平转移电路、驱动电路和输出匹配电路。...
羊硕雄罗卫军董青杨黄威李晨浩来龙坤
在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的...
王晓亮罗卫军郭伦春肖红领李建平李晋闽
文献传递
一种DC-DC转换器及其驱动电路和相关设备
本发明提供了一种DC‑DC转换器及其驱动电路和相关设备，驱动电路包括差分放大电路、第一死区控制电路和第二死区控制电路；差分放大电路用于对第一差分控制信号和第二差分控制信号进行放大；第一死区控制电路用于对差分放大电路输出的...
张荣华罗卫军蒋鑫来龙坤韦春
基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备
本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路...
罗卫军夏志颖闫伟刘果果袁婷婷魏珂金智刘新宇
一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层之上，与芯片正面需要接地...
庞磊陈晓娟罗卫军魏珂刘新宇
具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路
本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路，属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯，输入匹配电路的输出端和GaN...
罗卫军陈晓娟刘新宇
GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
2012年
本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.
王鑫华王建辉庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军刘新宇
关键词：SIN
一种测量GaN基器件热可靠性的方法
本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰...
赵妙刘新宇罗卫军郑英奎陈晓娟彭铭曾李艳奎
文献传递
一种紧凑型宽带Doherty功率放大器
本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰...
夏志颖罗卫军闫伟刘果果袁婷婷魏珂金智刘新宇
基于钨金属的电子束对准标记的制作方法
本发明公开了一种基于钨金属的电子束对准标记的制作方法，电子束对准标记金属采用具有高熔点、高稳定性的钨金属，实现了采用不同的金属将对准标记与源漏金属同时制作在晶圆上，解决高温退火后对准标记金属形貌产生形变这一问题，得到表面...
袁婷婷刘新宇陈晓娟罗卫军庞磊
文献传递
全选 清除 导出
共12页<12345678910>
聚类工具0