庞磊
- 作品数：55 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程医药卫生理学更多>>
- 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：2
- 2007年
- 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
- 李诚瞻庞磊刘新宇黄俊刘键郑英奎和致经
- 关键词：等离子体刻蚀栅电流
- 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层之上，与芯片正面需要接地...
- 庞磊陈晓娟罗卫军魏珂刘新宇
- GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
- 2012年
- 本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.
- 王鑫华王建辉庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军刘新宇
- 关键词：SIN
- 基于钨金属的电子束对准标记的制作方法
- 本发明公开了一种基于钨金属的电子束对准标记的制作方法，电子束对准标记金属采用具有高熔点、高稳定性的钨金属，实现了采用不同的金属将对准标记与源漏金属同时制作在晶圆上，解决高温退火后对准标记金属形貌产生形变这一问题，得到表面...
- 袁婷婷刘新宇陈晓娟罗卫军庞磊
- 文献传递
- 一种数字移相器
- 本发明提供了一种数字移相器，该数字移相器的开关器件为具有GaN基异质结的高电子迁移率场效应晶体管，该场效应晶体管的异质结上设置有肖特基接触电极和欧姆接触电极。该移相器可以工作在高温大功率等恶劣的条件下，可以进一步改善雷达...
- 罗卫军陈晓娟袁婷婷庞磊刘新宇
- 文献传递
- 一种测量FET沟道温度的装置及方法
- 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该...
- 王建辉刘新宇王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军
- 一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法
- 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下...
- 王亮蒲颜袁婷婷欧阳思华庞磊刘果果魏珂刘新宇
- 一种对碳化硅晶片进行减薄的方法
- 本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设...
- 汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇
- 基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量：7
- 2008年
- 利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.
- 曾轩陈晓娟刘果果袁婷婷陈中子张辉王亮李诚瞻庞磊刘新宇刘键
- 关键词：ALGAN/GANHEMT内匹配功率合成
- 砷化镓衬底改进的快速减薄方法
- 本发明公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来...
- 汪宁陈中子陈晓娟刘新宇罗卫军庞磊
- 文献传递
