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沈海波

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:华侨大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控反应...
  • 2篇溅射
  • 2篇光学
  • 2篇反应溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控反应溅射
  • 1篇折射率
  • 1篇双光子
  • 1篇双光子吸收
  • 1篇量子限域效应
  • 1篇晶格
  • 1篇激光
  • 1篇激光技术
  • 1篇光技术
  • 1篇光学非线性
  • 1篇光学特性
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光特性

机构

  • 4篇华侨大学
  • 3篇南京大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 4篇沈海波
  • 3篇郭亨群
  • 3篇徐骏
  • 3篇王加贤
  • 3篇陈坤基
  • 3篇王启明
  • 2篇吴志军
  • 2篇宋江婷
  • 2篇王国立
  • 1篇杨先才
  • 1篇张培
  • 1篇王燕飞

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究
2010年
采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光。研究了退火温度和时间对SiOx∶Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件。采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV。对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx∶Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨。
沈海波郭亨群徐骏陈坤基王启明
关键词:射频磁控反应溅射光致发光
Z扫描法研究nc-Si/SiNx多量子阱材料非线性光学特性被引量:1
2009年
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料。对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质。采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性。实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强。
沈海波郭亨群王国立王加贤吴志军宋江婷徐骏陈坤基王启明
关键词:Z-扫描非线性折射率
纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
2011年
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
王燕飞王加贤张培杨先才沈海波
关键词:激光技术超晶格薄膜被动调Q双光子吸收
SiN薄膜三阶非线性增强的研究
2009年
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征。采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应。
宋江婷郭亨群王加贤吴志军王国立沈海波徐骏陈坤基王启明
关键词:射频磁控反应溅射光学非线性量子限域效应Z扫描
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