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杨志欣

作品数:6 被引量:6H指数:2
供职机构:河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文基金:国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇活性剂
  • 2篇机械抛光
  • 2篇BDD
  • 2篇CMP
  • 2篇表面活性
  • 2篇表面活性剂
  • 1篇电化学
  • 1篇电极
  • 1篇电压
  • 1篇氧化液
  • 1篇有机物
  • 1篇碳源
  • 1篇体积
  • 1篇体积分数
  • 1篇铜表面
  • 1篇平坦化
  • 1篇清洗剂
  • 1篇去除有机物
  • 1篇热丝

机构

  • 6篇河北工业大学

作者

  • 6篇杨志欣
  • 4篇檀柏梅
  • 4篇程川
  • 4篇高宝红
  • 4篇张男男
  • 2篇刘玉岭
  • 2篇李炎
  • 1篇王傲尘
  • 1篇王辰伟
  • 1篇刘伟娟
  • 1篇黄妍妍
  • 1篇孙鸣
  • 1篇张玉峰
  • 1篇田巧伟
  • 1篇洪娇
  • 1篇刘楠

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇表面技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种有效去除CMP后铜表面CuO颗粒的清洗剂被引量:1
2015年
在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所产生的CuO颗粒,采用主要有效成分为FA/OII型螯合剂和FA/OI型非离子表面活性剂的碱性清洗剂,结合聚乙烯醇(PVA)刷洗的方式对其进行清洗。利用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对铜光片清洗前后进行检测。实验结果表明,该清洗剂不仅能有效去除GLSI多层铜布线片CMP后在铜线条表面残留的CuO颗粒,而且成分简单环保,不含金属离子,因此有很好的应用前景。
杨志欣高宝红王辰伟孙鸣孙铭斌张男男程川檀柏梅
关键词:清洗剂表面活性剂
电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响被引量:2
2014年
掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HF—CvD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。
程川高宝红张男男杨志欣孙铭斌檀柏梅
关键词:电化学
碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响
2014年
以丙酮为碳源,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在钽衬底上制备p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。在BDD电极制备过程中,碳源体积分数对它的质量和性能影响很大。利用AFM和XRD分析了丙酮体积分数对BDD电极表面形态和成膜质量的影响。利用循环伏安法研究了采用不同体积分数的丙酮沉积的BDD电极对电化学窗口和背景电流的影响。分别采用BDD电极和不锈钢片作阳极和阴极电解K2SO4溶液,并利用KMnO4滴定法检测BDD电极的氧化效率。结果表明,优化丙酮体积分数可以提高BDD的均匀性和附着力。合适的丙酮体积分数所制备的BDD电极具有电化学窗口宽、背景电流低和电极氧化效率高等特点,有很好的应用前景。
张男男檀柏梅高宝红程川杨志欣
催化反应对低磨料浓度化学机械平坦化的影响
2014年
通过低磨料浓度下催化反应对铜膜抛光速率的影响,证实了纳米SiO2胶体作为催化反应物可以极大地提高铜膜表面的化学反应速率。通过浸泡在不同磨料浓度抛光液中的铜电极表面腐蚀电位和腐蚀电流数值,进一步证实了催化反应能够加速凹处钝化膜的生成,并确定了在静态腐蚀条件下催化反应速率转换临界点所对应的纳米SiO2溶胶浓度为0.1vol%和1vol%。根据催化反应对铜晶圆各平坦化参数的影响,确定了低磨料CMP的最佳纳米SiO2溶胶浓度为0.3vol%,此时铜晶圆的抛光速率、台阶消除量、平坦化效率、碟形坑高度和腐蚀坑高度分别为535nm/min、299nm、56%、103nm和19nm。
李炎刘玉岭王傲尘刘伟娟洪娇杨志欣
关键词:化学机械平坦化腐蚀电位腐蚀电流
无磨料复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制被引量:3
2014年
目的研究一种复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制效果。方法通过单因素实验优化无磨料复合清洗剂组成和相应的清洗工艺,并通过研究优化的清洗条件对不同类型铜晶圆表面划伤、残留颗粒的清洗效果,验证该清洗剂的清洗性能。结果优化的清洗剂组分和清洗工艺为:金属离子螯合剂体积分数0.025%,表面活性剂体积分数0.1%;清洗剂温度30℃,清洗剂流量3 L/min。优化的复合清洗剂能大幅度降低铜膜表面划伤和表面粗糙度,对铜膜表面残留的颗粒有较强的去除作用。结论优化的复合清洗剂能够对不同类型铜晶圆表面缺陷进行大幅度的修正,研究成果对提高大规模生产中晶圆的成品率有一定的指导作用。
李炎刘玉岭卜小峰孙铭斌杨志欣张男男张玉峰程川
关键词:表面活性剂腐蚀速率
硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究
2012年
化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度。此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的。研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60%~100%时残留有机物去除效果最佳。作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求。
刘楠檀柏梅高宝红田巧伟杨志欣黄妍妍
关键词:有机物氧化液
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