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戴丰伟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇刻蚀
  • 1篇SI基
  • 1篇ICP刻蚀

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇吕垚
  • 1篇王惠娟
  • 1篇万里兮
  • 1篇戴丰伟

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高密度Si基半导体电容器的性能及其制作
2010年
随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。
王惠娟吕垚戴丰伟万里兮
关键词：ICP刻蚀
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