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孙恒超

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇电池
  • 9篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 7篇载流子
  • 7篇太阳能
  • 7篇太阳能电池
  • 6篇电极
  • 6篇填充因子
  • 6篇重掺杂
  • 6篇背接触
  • 5篇外延片
  • 5篇金属
  • 4篇隧穿
  • 3篇电压
  • 3篇载流
  • 3篇砷化镓
  • 3篇迁移率
  • 3篇子层
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基结

机构

  • 20篇中国科学院微...

作者

  • 20篇陶科
  • 20篇贾锐
  • 20篇孙恒超
  • 12篇姜帅
  • 10篇刘新宇
  • 10篇金智
  • 4篇孙昀

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 7篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种砷化镓太阳能电池
本申请公开了一种砷化镓太阳能电池，其包括：砷化镓太阳能电池外延结构；形成于所述砷化镓太阳能电池外延结构正面上的石墨烯层和金属电极，所述石墨烯层与所述金属电极之间形成电连接；电连接的所述石墨烯层与所述金属电极构成所述砷化镓...
贾锐孙恒超陶科姜帅
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一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法
本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤：1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化...
贾锐桂羊羊孙恒超陶科戴小宛金智刘新宇
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一种背结背接触太阳能电池
本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的受光复合层；复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层；所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置；复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体...
孙昀贾锐姜帅陶科孙恒超戴小宛金智刘新宇
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黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法
本公开提供了一种黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法；其中，所述黑硅纳米PIN光电探测器结构至上而下依次包括：前表面金属电极、前表面减反射膜、前表面氧化硅薄膜、前表面N型重掺区、P型晶体硅衬底、背表面P型重掺区、背表...
陶科贾锐孙恒超戴小宛姜帅周颖
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晶体硅太阳能电池及其制备方法
本公开提供了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，其中所述晶体硅太阳能电池包括：N型硅衬底；隧穿氧化层，形成于所述N型硅衬底的背表面；以及多晶硅层，形成于所述隧穿氧化层上，其包括交替分布的N+多晶硅区和P+多晶硅区，相邻的所...
陶科贾锐姜帅孙恒超周颖包建辉
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石墨烯在砷化镓太阳电池中的应用
主要内容石墨烯的迁移率和光学特性石墨烯/砷化镓电池结构石墨烯/砷化镓电池工艺石墨烯/砷化镓电池性能石墨烯的迁移率和光学特性极高的载流子迁移率～2×105cm2/Vs室温下电阻率最低10-6Ωcm促进光生载流子的横向输运,...
孙恒超贾锐桂羊羊陶科孙昀戴小宛
关键词：石墨烯迁移率光学特性
一种石墨烯/砷化镓太阳电池
本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所...
孙恒超贾锐陶科戴小宛金智刘新宇
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PERC电池的背表面电极结构对其性能影响
PERC电池结器件结构的设计，对电子和空穴的输运有着显著影响,合理的电池结构设计，可以有效地提升效率，并降低工艺成本,PERC电池效率的持续提升，需要降低电阻损失、光学损失和复合损失，其中来自前表面的复合损失占据的比重，...
贾锐陶科姜帅孙恒超戴小宛
关键词：太阳能电池电极结构电子输运光电转换效率
一种石墨烯/砷化镓太阳电池
本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减...
贾锐桂羊羊孙恒超陶科戴小宛金智刘新宇
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晶体硅太阳能电池
本申请提供了一种晶体硅太阳能电池。该晶体硅太阳能电池包括依次叠置的背面栅极、背面透明导电层、N+硅层、硅衬底、过渡金属氧化物层、正面透明导电层以及正面栅极，其中，N+硅层为N+型多晶硅层或N+非晶硅层。该硅晶体太阳能电池...
陶科贾锐孙恒超戴小宛侯彩霞
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