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吉新春

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低K介质
  • 1篇电荷
  • 1篇面电荷
  • 1篇界面电荷
  • 1篇SOI_LD...
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 1篇郭宇锋
  • 1篇徐跃
  • 1篇徐光明
  • 1篇花婷婷
  • 1篇吉新春

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展被引量：1
2012年
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理;而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点;最后对未来技术的发展进行了展望。
徐光明郭宇锋花婷婷徐跃吉新春
关键词：LDMOS界面电荷低K介质
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