李浩
- 作品数：14 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十四研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- 一种TGV基板表面加工及布线方法
- 本发明属于TGV基板制造技术领域，公开了一种TGV基板表面加工及布线方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、TGV基板通孔实心电镀；步骤二、TGV基板正、反表面铜加工；步骤三、TGV基板正面光刻；步骤四、TGV基板正面刻...
- 张伟强王一丁李浩崔凯谢迪吴晶胡永芳王从香
- 基于微系统IPD工艺的功分网络制造技术被引量：1
- 2021年
- 集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分配/合成器,通过薄膜多层技术实现了2层苯并环丁烯(BCB)介质、3层布线的多层结构,最小线宽和线距皆为20μm。通过反应磁控溅射方法在BCB介质表面制备了50Ω/□和100Ω/□的TaN高精度薄膜电阻。片上集成的功分网络的工作频率为30-40 GHz,频带内各个端口的回波损耗为-15dB,插入损耗为(4.6±0.2)dB。该研究突破了硅基薄膜多层高密度布线技术,制作了功分器并对其进行了测试,为射频微系统无源网络一体化集成提供了有效的解决方案。
- 崔凯李浩谢迪张兆华齐昆仑孙毅鹏
- 关键词：功分器
- 高深径比TSV填孔电镀技术被引量：2
- 2020年
- 随着电子器件朝着小型化、多功能化、高功率密度方向发展,硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术越来越受到业界的重视。填孔电镀技术是TSV的核心技术之一。文中探讨了填孔电镀的机理以及TSV电镀药水中各种添加剂对填充效果的影响,对比了国内外TSV电镀设备的现状,重点分析了TSV铜柱内空洞形成的原因和应对措施。分析认为导致空洞的主要原因有2个方面:一是电流聚集效应;二是物质(铜离子)的质量传输效应。在此基础上,实现了直径30μm、深度210μm的TSV无空洞填充,可为国内TSV技术的发展提供参考。
- 牛通李浩崔凯王从香
- 应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺被引量：1
- 2021年
- 混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术。共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素。选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择不同目数砂轮和适当的减薄工艺参数对基板进行减薄。然后对减薄后的基板进行抛光,通过合理的抛光转速和抛光压力得到了低TTV和低表面粗糙度的基板。采用测厚仪测量了减薄前后基板5点不同位置的厚度,得到了其TTV;采用3D光学轮廓仪测量抛光后基板表面粗糙度,并研究了不同工艺条件下抛光速率的影响。当抛光压力为42 kPa、抛光转速为50 r/min的条件下,获得良好的抛光质量与较高的抛光速率,基板粗糙度不超过15 nm, TTV不超过5μm。最后通过剥离工艺在基板表面制备了高精度薄膜金属线条,验证了减薄抛光工艺参数的合理性,适用于高密度多层基板表面芯片集成互连的需求。
- 谢迪李浩侯清健崔凯胡永芳
- 关键词：低温共烧陶瓷
- 一种氮化铝高温共烧陶瓷的混合集成电路基板制作方法
- 本发明属于混合集成电路基板制造技术领域，公开了一种氮化铝高温共烧陶瓷的混合集成电路基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、氮化铝HTCC基板制作；步骤二、氮化铝HTCC基板研磨抛光；步骤三、氮化铝HTCC基板清洗...
- 王从香崔凯李浩张眯谢迪牛通侯清健胡永芳
- 基于BCB的薄膜多层基板在毫米波T/R组件中的应用被引量：8
- 2017年
- 基于BCB的薄膜多层基板具有优异的高频特性,是毫米波频段多芯片组件集成封装的重要途径。研究了BCB薄膜多层基板在Ka波段相控阵雷达T/R组件中应用的可行性,首先与LTCC基板对比验证了BCB微带线的传输特性,然后研制了功率分配/合成器、穿墙过渡等关键微波无源电路,最后设计了八通道的无源组件进行微波性能测试评估,结果表明基于BCB的薄膜多层基板能够满足应用需要。
- 张兆华崔鲁婧李浩王从香
- 关键词：毫米波T/R组件
- 基于TGV工艺的三维集成封装技术研究被引量：3
- 2021年
- 面向未来高速与高密度封装领域,基于玻璃基的TGV技术具有衬底损耗低、基板材料成本低、体积尺寸小、高密度集成等优点,成为三维集成技术的重点发展方向。尤其是在毫米波天线、射频前端等大带宽、低损耗高频传输器件的研制中,TGV技术有着广阔的应用前景。针对石英玻璃基板,开展TGV成孔关键技术研究,突破高深宽比TGV结构的研制技术难点,成功制备了特征孔径50μm、深宽比6∶1的石英玻璃三维封装基板,实现了垂直方向的信号传输。
- 谢迪李浩王从香崔凯胡永芳
- 关键词：石英玻璃激光加工金属化
- 一种薄膜基板电镀夹具
- 对于正反面待镀图形尺寸差异较大、镀金层厚度设计相同的薄膜基板，如何提高电镀过程中正反面镀层的厚度一致性、实现正反面同时电镀、提高电镀金生产效率，成为急需解决的难题。为解决双面布线薄膜基板两次电镀效率低的问题，本发明提出了...
- 张伟强张眯李浩陈林崔凯王从香张明辉沈克剑胡永芳
- 雷达高频T/R组件的多层电路基板制造技术被引量：2
- 2020年
- 介绍了雷达微波组件高频多层电路制造技术,重点阐述了传统陶瓷基多层电路及TSV多层电路两种工艺。传统陶瓷基高频多层电路主要包括纯陶瓷基材薄膜多层基板、LTCC(低温共烧陶瓷)、HTCC(高温共烧陶瓷)等类型。通过溅射、光刻和电镀等薄膜工艺或者冲孔、印刷和烧结等厚膜工艺,陶瓷基多层电路将无源器件和传输线等高密度集成,应用于先进的微波组件。TSV多层电路则能够用于实现超高集成度的三维片式组件。通过多层电路基板制造工艺的探讨,可为雷达微波组件的研制和生产提供一定的借鉴。
- 戴敏张伟沈克剑李浩
- 关键词：LTCCTSV
- 基于田口方法的混合集成基板CMP工艺优化研究被引量：1
- 2021年
- 为了提高多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM-C/D)技术中低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic,LTCC)基板的表面质量,需要采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺使基板表面平坦化。文中探讨了基于田口试验方法的基板CMP工艺参数优化设计方法。在一定的抛光条件下,抛光液pH值、抛光载荷和抛光盘转速是影响基板表面质量的主要工艺参数。文中设计了3因素3水平试验进行研究。研究结果表明,基板表面CMP平坦化的影响因素依次是抛光载荷、抛光液pH值和抛光盘转速。采用优化参数获得了光洁、平整的表面,基板粗糙度Ra≤0.05μm,浆料凸起高度H≤3μm,经薄膜工艺验证,满足厚薄膜混合基板的研制应用需求。
- 谢迪李浩王从香侯清健崔凯
- 关键词：化学机械抛光粗糙度选择比田口方法参数优化
