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一种微系统相变微冷却方法及装置: 本发明涉及一种微系统相变微冷却方法及装置，微冷却装置包括微换热器、封装基板、3D芯片基板，3D芯片基板和微换热器分别安装在封装基板的正反面，在3D芯片基板内阵列形式排布多个3D堆栈芯片；封装基板为单层结构，内部设有集/分...; 魏涛钱吉裕黄豪杰崔凯; 文献传递

应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺被引量：1: 2021年; 混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术。共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素。选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择不同目数砂轮和适当的减薄工艺参数对基板进行减薄。然后对减薄后的基板进行抛光,通过合理的抛光转速和抛光压力得到了低TTV和低表面粗糙度的基板。采用测厚仪测量了减薄前后基板5点不同位置的厚度,得到了其TTV;采用3D光学轮廓仪测量抛光后基板表面粗糙度,并研究了不同工艺条件下抛光速率的影响。当抛光压力为42 kPa、抛光转速为50 r/min的条件下,获得良好的抛光质量与较高的抛光速率,基板粗糙度不超过15 nm, TTV不超过5μm。最后通过剥离工艺在基板表面制备了高精度薄膜金属线条,验证了减薄抛光工艺参数的合理性,适用于高密度多层基板表面芯片集成互连的需求。; 谢迪李浩侯清健崔凯胡永芳; 关键词：低温共烧陶瓷

面向硅通孔(TSV)的高深宽比薄膜沉积技术进展及应用: 近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功...; 谢迪王从香崔凯; 关键词：芯片封装

纳米银双面烧结SiC半桥模块封装技术: 2023年; 为满足雷达阵面高功率密度的需求,SiC宽禁带半导体器件在电源模块应用中逐步取代传统硅功率器件。传统焊接及导电胶粘工艺存在导电性能差、热阻大、高温蠕变等缺点,无法发挥SiC功率器件高结温和高功率的优势。纳米银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一,具有低温烧结高温使用的优点和良好的高温工作特性。文中针对高功率电源模块大电流传输对低压降及高效散热的需求,基于高功率半桥电源模块开展了SiC芯片的纳米银双面烧结工艺技术研究,突破了成型银焊片制备、纳米银焊膏高平整度点涂、无压烧结等关键技术,并通过烧结界面微观分析以及芯片剪切强度和焊片剥离强度测试对烧结工艺参数进行了优化。最后对半桥模块进行了静态测试和双脉冲测试。该模块的栅极泄漏电流<1.5 n A,开关切换时间<125 ns,漏极电压过冲<12.5%,满足产品应用需求。; 张兆华孟伟崔凯胡永芳; 关键词：无压烧结

大尺寸微波多芯片组件微组装过程变形研究: 2023年; 文中针对大尺寸多通道高集成微波多芯片组件在微组装过程中的变形情况开展研究。结果表明:壳体焊接基板后,壳体底面向组件腔体方向内凹,最大变形量相当于底面厚度的6.9%;组件密封后,壳体底面向腔体内凹的程度减小,最大变形量相当于底面厚度的3.0%;精铣底面后,壳体平面度趋好,最大变形量不超过底面厚度的1.2%,满足组件安装和高效散热需求;组件机械开盖二次封盖后,壳体底面变形从向腔体内凹转变为向底面外凸,最大变形量小于底面厚度的1.5%。组件二次封盖后不再采取措施,组件安装和高效散热要求仍能得到保障。; 夏海洋韩宗杰崔凯王越飞; 关键词：微波多芯片组件大尺寸微组装平面度

高深径比TSV填孔电镀技术被引量：2: 2020年; 随着电子器件朝着小型化、多功能化、高功率密度方向发展,硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术越来越受到业界的重视。填孔电镀技术是TSV的核心技术之一。文中探讨了填孔电镀的机理以及TSV电镀药水中各种添加剂对填充效果的影响,对比了国内外TSV电镀设备的现状,重点分析了TSV铜柱内空洞形成的原因和应对措施。分析认为导致空洞的主要原因有2个方面:一是电流聚集效应;二是物质(铜离子)的质量传输效应。在此基础上,实现了直径30μm、深度210μm的TSV无空洞填充,可为国内TSV技术的发展提供参考。; 牛通李浩崔凯王从香

一种玻璃基贴片天线单元: 本发明针对微系统高集成相控阵对宽带宽角天线单元的需求，以及目前天线单元难以与半导体有源电路集成的缺点和问题，公开了一种低剖面宽带宽角扫描玻璃基片式天线单元，该天线单元结构简单、剖面低、体积小，有效改善宽角扫描特性，并适合...; 杨磊王侃孙红兵孙毅鹏崔凯王斌斌郭胜杰; 文献传递

一种带有识别对位标记的LTCC基板: 本实用新型公开了一种带有识别对位标记的LTCC基板，LTCC基板上设置有若干个键合区域，LTCC基板由从上至下的N层生料带叠压烧结而成，每一层生料带上均设置有信号孔，且每一层生料带上均印刷有电路图形，其中，第一层生料带上...; 侯清健崔凯胡永芳韩宗杰游韬王子鸣高浩宋兆祥

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崔凯