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雷小燕

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单量子阱
  • 1篇重正化
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光

机构

  • 1篇厦门大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 1篇丘志仁
  • 1篇姜小芳
  • 1篇曾学然
  • 1篇丁才蓉
  • 1篇张保平
  • 1篇雷小燕
  • 1篇李小龙

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系被引量：3
2010年
通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱,研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验中光生载流子浓度为n=1.6×1014cm-2,在Lw从2.3 nm渐变到4.3 nm,PL谱峰位的红移量从5.9 meV变化到97.1 meV。红移量随阱宽增大而增加,但增加率却逐渐减少。当Lw>2αB(αB,ZnO体材料激子玻尔半径,约为2 nm)时,红移量逐渐呈现出饱和的趋势(100 meV)。研究发现峰位的红移是由于多体效应所导致的能隙收缩以及在高的激发强度下带内填充效应的这两种机理相互竞争的结果。
李小龙姜小芳雷小燕丘志仁张保平丁才蓉曾学然
关键词：光致发光单量子阱
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共1页<1>
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