李坊森
- 作品数：6 被引量：25H指数：3
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响被引量：4
- 2009年
- 以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响。实验结果表明,随着氮化硅晶须加入量的升高,氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介电损耗都升高,介电性能恶化。
- 胡汉军周万城李坊森罗发朱冬梅徐洁
- 关键词：多孔氮化硅氮化硅晶须成孔剂介电
- 氮化硅多孔陶瓷制备技术的研究进展被引量：13
- 2008年
- 多孔氮化硅陶瓷具有优良的机械性能,成为人们研究的热点问题。首次从原料成分设计、成型方法和烧结条件等方面出发阐述了国内外多孔氮化硅陶瓷主要制备技术的最新研究状况,分析了各种制备技术的优缺点,并指出多孔氮化硅陶瓷未来研究的重点是高性能氮化硅陶瓷制备工艺的量化和实际生产的低成本化。
- 李坊森周万城胡汉军罗发朱冬梅
- 关键词：多孔氮化硅陶瓷
- TiB_2/ZrO_2复合材料介电及力学性能研究被引量：1
- 2008年
- 以热压烧结制备了TiB_2/ZrO_2复合材料,研究了其在8.2～12.4GHz的介电特性和力学性能,探讨了材料极化和损耗机理。结果表明,TiB_2降低了复合材料的烧结性能;纯ZrO_2无明显损耗,ZrO_2内部价电子随电场移动使基体发生极化,TiB_2在材料中形成的导电网络使复合材料复介电常数实部和损耗增加。复合材料的硬度随TiB_2体积分数增加而下降,抗弯强度和断裂韧性随TiB_2体积分数增加先上升后下降,这是由复合材料相对密度、基体晶粒尺寸以及TiB_2的韧化作用等因素共同决定的。
- 李鹏周万城李坊森罗发朱冬梅
- 关键词：介电
- 包覆成孔剂法制备高性能多孔氮化硅陶瓷工艺被引量：1
- 2010年
- 为了制备高强度且分布均匀的氮化硅陶瓷,采用包覆成孔剂法改进普通添加成孔剂的方法,常压烧结氮化硅多孔陶瓷,采用阿基米德法、三点弯曲法分别测试材料的孔隙率及抗弯强度,用扫描电镜和光学放大镜对氮化硅多孔陶瓷显微结构和表观结构进行研究.结果表明,添加包覆过的成孔剂强度比添加未包覆的成孔剂强度高,孔隙率为50%时,强度增加近一倍.强度的提高归因于特殊的微观结构,即气孔的均匀分布和孔与孔之间相间隔分布.
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- 关键词：多孔氮化硅陶瓷抗弯强度
- 包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究被引量：3
- 2008年
- 以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响。结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好。
- 胡汉军周万城李坊森罗发朱冬梅徐洁
- 关键词：包覆多孔氮化硅成孔剂介电
- 基于神经元积分分离PID的直线电机速度控制系统被引量：3
- 2008年
- 利用神经元积分分离PID控制算法对直线电机的速度进行控制,并将其控制效果与采用神经元PID控制算法的控制效果进行比较。仿真结果表明,直线电机采用神经元积分分离PID控制能有效改善系统的动态特性,增强系统的抗干扰能力。
- 余虹林瑞全陈明凯李坊森
- 关键词：直线电机
