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李明

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇放大器
  • 2篇电路
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇多功能芯片
  • 2篇迁移率
  • 2篇芯片
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇W波段
  • 2篇GAAS_P...
  • 2篇MMIC
  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇李明
  • 2篇魏洪涛
  • 2篇韩芹
  • 2篇许春良
  • 2篇王雨桐
  • 1篇吴洪江
  • 1篇方园
  • 1篇刘永强
  • 1篇林勇
  • 1篇李远鹏
  • 1篇刘会东

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统
本发明提供一种收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统。该芯片包括：极化开关模块、天线端通道选择模块、接收通道低噪声放大器模块、发射通道功率放大器模块以及驱动端通道选择模块；极化开关模块的第一端用于连接水平极化天...
韩芹许春良刘会东崔璐李远鹏刘永强王晓阳李明
基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究
2020年
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35GHz,输入功率0dBm情况下,在输出频率96-105GHz频段内,该四通道发射前端芯片输出功率大于6.5dBm,输入电压驻波比小于1.6:1,输出电压驻波比小于2.5:1。其中,电路为5V和-5V供电;开关控制电压为-5V/0V。芯片尺寸为5.90mm×2.15mm×0.07mm。
王雨桐方园林勇薛昊东汪璐陈艳卢军廷郑俊平李明
关键词：倍频器功率放大器
基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
2022年
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计自动化(EDA)软件进行电路设计,并对全版图进行电磁场仿真。测试结果表明,当漏压为+5 V、栅压为-2.3 V时,放大器的静态电流为100 mA。在88~98 GHz频带内,放大器小信号增益大于22 dB,噪声系数小于4.6 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.55∶1,输出VSWR小于1.65∶1,1 dB压缩点输出功率大于12 dBm。芯片面积为3.99 mm×1.47 mm。该LNA具有带宽宽、增益高、噪声低、输出功率高等特点,可广泛应用于W波段接收前端。
许春良李明王雨桐魏洪涛
关键词：W波段
基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片被引量：7
2015年
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一种5-12 GHz的收发一体多功能芯片（T/R MFC）,其具有噪声低、增益高和中等功率等特点。电路由低噪声放大器和多个单刀双掷（SPDT）开关构成。为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构。测试结果表明,在5-12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 d B,噪声系数小于4 d B,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 d B压缩点输出功率大于15 d Bm。其中,放大器为单电源5 V供电,静态电流小于120 m A;开关控制电压为-5 V/0 V。芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm。
李明吴洪江魏洪涛韩芹
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