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任剑

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇三氯氢硅
  • 1篇四氯化硅
  • 1篇氯化
  • 1篇氯化硅
  • 1篇光化反应

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇苏小平
  • 1篇王铁艳
  • 1篇莫杰
  • 1篇袁琴
  • 1篇任剑
  • 1篇毛威

传媒

  • 1篇无机盐工业

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
光化法去除四氯化硅中三氯氢硅的实验研究被引量：5
2010年
以市售粗四氯化硅为原料,对光化法去除四氯化硅中常见的三氯氢硅杂质进行了研究。分析了以波长为330~380 nm的紫外线为光源,进行三氯氢硅的光化反应过程中,影响光化效果的主要因素及其相互之间的关系。研究表明：光化时间随着原料量的增加而增加;光化时间随着光照强度的减少而增加;氯气与三氯氢硅物质的量比至少大于22∶1;氯气与三氯氢硅物质的量比存在临界值,小于此值时光化时间随氯气与三氯氢硅物质的量比的增大而减少,大于此值时光化时间反而有所增加,光照强度越大此值越小。
毛威苏小平王铁艳袁琴莫杰任剑
关键词：四氯化硅三氯氢硅光化反应
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