毛威
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- SiCl_4中SiHCl_3的去除及检测方法研究进展被引量：1
- 2011年
- SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能。SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量产生严重影响。综述了国内外对于SiCl4中SiHCl3去除方法的研究进展,主要有精馏法、等离子体法、光化法,以及吸附法、部分水解法等其他一些方法。国内常用精馏法提纯SiCl4,但由于SiHCl3和SiCl4的沸点较为接近,精馏法对于SiCl4中SiHCl3的去除仍然存在着一定的限度;等离子体法去除SiHCl3效果好,但对于设备、技术要求相对较高;光化法对于SiHCl3的去除十分有效,可将SiHCl3的含量降到1×10-6以下。同时介绍了SiCl4中SiHCl3含量的检测方法,包括气相色谱法、傅里叶变换红外光谱法(FT-IR法)、红外空气参考法。气相色谱法具有取几毫克SiCl4即可检出其中微克级SiHCl3的特点,其检测下限为0.1×10-6;FT-IR法不仅可用于实验室分析,而且可应用于生产现场分析,对SiHCl3的测量下限为0.6×10-6;红外空气参考法对SiHCl3的测量下限为2×10-6。进行SiCl4中SiHCl3的去除工艺、检测技术研究,对于光纤用高纯SiCl4的提纯,进而对于光纤用关键原料国产化,具有重要的意义。
- 毛威苏小平王铁艳袁琴
- 关键词：光纤
- 光化法去除四氯化硅中三氯氢硅的实验研究被引量：5
- 2010年
- 以市售粗四氯化硅为原料,对光化法去除四氯化硅中常见的三氯氢硅杂质进行了研究。分析了以波长为330~380 nm的紫外线为光源,进行三氯氢硅的光化反应过程中,影响光化效果的主要因素及其相互之间的关系。研究表明：光化时间随着原料量的增加而增加;光化时间随着光照强度的减少而增加;氯气与三氯氢硅物质的量比至少大于22∶1;氯气与三氯氢硅物质的量比存在临界值,小于此值时光化时间随氯气与三氯氢硅物质的量比的增大而减少,大于此值时光化时间反而有所增加,光照强度越大此值越小。
- 毛威苏小平王铁艳袁琴莫杰任剑
- 关键词：四氯化硅三氯氢硅光化反应
