谢凌云
- 作品数:7 被引量:4H指数:2
- 供职机构:同济大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重大科学仪器设备开发专项国家重大技术装备创新研制项目更多>>
- 相关领域:理学电子电信机械工程更多>>
- 一种高损伤阈值的多层介质膜矩形衍射光栅制备方法
- 本发明涉及一种高损伤阈值的多层介质膜矩形衍射光栅制备方法,包括以下步骤:镀制多层介质膜;在Si片上刻蚀制备出与目标矩形光栅结构相反的矩形Si光栅母版;利用软材料模板转移矩形Si光栅母版的图案;使用紫外纳米软压印技术,通过...
- 程鑫彬谢凌云张占一王占山
- 文献传递
- 节瘤缺陷平坦化提高高反射膜的激光损伤阈值被引量:2
- 2018年
- 探究了节瘤缺陷平坦化技术中平坦化层(刻蚀层)厚度和种子源尺寸之间的刻蚀规律,同时解释了平坦化技术提高节瘤缺陷的损伤阈值的机制。在双离子束溅射系统中,使用SiO2微球模拟真实的种子源置于基板上,镀制1064nm HfO2/SiO2高反膜,制备人工节瘤缺陷。对类似于实际种子源的SiO2微球一系列不同刻蚀程度的实验得出了节瘤缺陷平坦化技术的刻蚀规律:只要平坦化层(刻蚀层)的厚度稍大于节瘤缺陷的种子源粒径,就可以将种子源完全平坦化。使用时域有限差分法(FDTD)模拟不同平坦化程度的节瘤缺陷内电场增强的结果与节瘤缺陷的损伤形貌进行对比实验,将损伤形貌和损伤阈值与电场强度分布之间建立联系,表明平坦化技术可以改变节瘤缺陷原有的几何结构,有效抑制节瘤缺陷的电场增强效应。最后,通过对未经平坦化和经过平坦化处理后的节瘤缺陷进行损伤阈值测试,对比结果直接验证了节瘤缺陷平坦化技术可以实现对节瘤缺陷的调控,大幅度提高了节瘤缺陷的损伤阈值。
- 谢凌云何涛张锦龙焦宏飞马彬王占山程鑫彬
- 关键词:平坦化损伤阈值
- 一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法
- 本发明涉及一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法,该元件包括SiO<Sub>2</Sub>衬底、高反膜、间隔层和顶部超表面;其中,所述高反膜为HfO<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>多层膜,所述间隔...
- 程鑫彬董思禹谢凌云张占一
- 一种高损伤阈值的多层介质膜矩形衍射光栅制备方法
- 本发明涉及一种高损伤阈值的多层介质膜矩形衍射光栅制备方法,包括以下步骤:镀制多层介质膜;在Si片上刻蚀制备出与目标矩形光栅结构相反的矩形Si光栅母版;利用软材料模板转移矩形Si光栅母版的图案;使用紫外纳米软压印技术,通过...
- 程鑫彬谢凌云张占一王占山
- 同济大学精密光学工程技术研究所二十年创新历程
- 2022年
- 同济大学精密光学工程技术研究所成立二十年来,以探索前沿科学问题、突破核心关键技术、服务国家重要应用为目标,形成了理论与模拟相结合、科学问题解决与关键技术突破相结合、基础研究与重要应用相结合的特色,形成了研究所的发展理念,打造了高水平研究平台,在X射线器件与系统、强激光薄膜与应用、光学纳米计量与测试、微纳光学与智能感知四个研究方向上取得了突出的研究成果,已成为高层次人才培养和高水平科学研究的重要基地。
- 王占山张众程鑫彬沈正祥李文斌王晓强马彬焦宏飞张锦龙魏泽勇王昆黄秋实蒋励伊圣振邓晓顿雄江涛齐润泽欧凯施宇智黄迪余俊顾振杰骆文锦董思禹朱静远谢凌云何涛张哲盛鹏峰钮信尚陈玲燕李同保
- 一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法
- 本发明涉及一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法,该元件包括SiO<Sub>2</Sub>衬底、高反膜、间隔层和顶部超表面;其中,所述高反膜为HfO<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>多层膜,所述间隔...
- 程鑫彬董思禹谢凌云张占一
- 节瘤缺陷激光损伤的研究进展被引量:2
- 2016年
- 在近红外反射类激光薄膜中,节瘤缺陷是引起薄膜激光损伤的主要因素。为了提高激光薄膜的损伤阈值,对节瘤缺陷及其损伤特性进行研究具有重要意义。从"真实"节瘤缺陷和"人工"节瘤缺陷两个方面介绍节瘤缺陷的研究进展。基于"真实"节瘤缺陷的研究,建立了节瘤缺陷的结构特征,形成了节瘤缺陷损伤特性和损伤机制的初步认识,利用时域有限差分法(FDTD)模拟了电场增强,初步解释了节瘤缺陷的损伤机制,发明了抑制节瘤缺陷种子源的方法和激光预处理技术,减少了节瘤缺陷,提高了薄膜损伤阈值。但是"真实"节瘤缺陷的性质,如种子源尺寸、吸收性以及位置深度等,都难以控制和预测,难以开展节瘤缺陷损伤特性的系统和量化研究,致使关于节瘤缺陷损伤的科学认识尚有不足。基于"人工"节瘤缺陷的研究,可以实现节瘤缺陷损伤特性的系统、量化甚至单一因素研究,极大地提高了实验研究的效率和可靠性,获得了一系列定量损伤规律。"人工"节瘤缺陷的高度受控性使实验研究与理论模拟的可靠对比成为可能,"人工"节瘤缺陷的损伤形貌和FDTD电场模拟的直接比较实验不仅验证了时域有限差分法(FDTD)模拟电场的正确性,也进一步明确了电场增强是诱导节瘤缺陷损伤的主要机制。对节瘤缺陷的损伤机制有了更为深刻的认识后,人们开始调控节瘤缺陷的电场增强效应提高节瘤缺陷的损伤阈值,发展了宽角度反射薄膜技术和节瘤缺陷平坦化技术,抑制电场增强,提高损伤阈值。这扩展了控制节瘤缺陷的思路和方法,从原来单一的去除节瘤缺陷到调控节瘤缺陷,为进一步提高薄膜的损伤阈值开辟了新的方向和途径。
- 谢凌云程鑫彬张锦龙焦宏飞马彬丁涛沈正祥王占山
- 关键词:激光损伤