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主题

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机构

  • 2篇厦门大学

作者

  • 2篇张明昆
  • 2篇蔡加法
  • 2篇郑云哲
  • 2篇吴正云
  • 2篇林冰金
  • 1篇陈厦平

传媒

  • 1篇量子电子学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
2011年
利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
郑云哲林冰金张明昆蔡加法陈厦平吴正云
关键词:光电子学温度特性光电特性
4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
郑云哲林冰金张明昆蔡加法吴正云
关键词:4H-SICP-I-N紫外光电探测器光谱响应暗电流
共1页<1>
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