您的位置: 专家智库 > >

张英

作品数:31 被引量:23H指数:3
供职机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇驱动电路
  • 10篇开关
  • 7篇电路
  • 7篇桥臂
  • 7篇高速开关
  • 6篇电阻
  • 6篇驱动电阻
  • 4篇电力电子
  • 4篇关断
  • 3篇电机
  • 3篇电力
  • 3篇电流
  • 3篇短路
  • 3篇短路保护
  • 3篇自适
  • 3篇自适应
  • 3篇自适应调节
  • 3篇漏源电压
  • 3篇开关管
  • 3篇开关速度

机构

  • 31篇南京航空航天...
  • 2篇上海电机学院
  • 2篇查尔姆斯理工...
  • 1篇河海大学
  • 1篇苏州华碧微科...

作者

  • 31篇张英
  • 23篇秦海鸿
  • 10篇付大丰
  • 7篇徐华娟
  • 4篇董耀文
  • 3篇孙凯
  • 3篇朱梓悦
  • 3篇张砦
  • 3篇程月华
  • 3篇余俊月
  • 2篇赵朝会
  • 2篇陈复扬
  • 2篇刘清
  • 1篇严仰光
  • 1篇李可
  • 1篇戴卫力
  • 1篇王硕
  • 1篇聂新
  • 1篇李昕
  • 1篇陈伟

传媒

  • 2篇电工电能新技...
  • 2篇上海电机学院...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇材料保护
  • 1篇电子器件
  • 1篇中国科技论文

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2020
  • 8篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇1995
  • 1篇1993
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法
本发明为一种抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法,属于电力电子技术与电工技术领域,控制电路主要包括采样电路、测量放大器、模拟开关、叠加电路和驱动电路五部分;控制方法通过实时采集SiC MOS...
张英秦海鸿朱梓悦余俊月徐华娟
文献传递
一种变关断负压的SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及控制方法
本发明为一种变关断负压的SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及控制方法,该电路包括第一、二、三、四电压图腾柱结构电路、第一、二驱动电阻电路、第一、二低阻抗回路和上、下管;所述第一电压图腾柱结构电路连接第二电压图腾柱结...
修强秦海鸿王守一张英付大丰
一种自适应调节SiC MOSFET开关速度的驱动电路
本发明公开了一种自适应调节SiC MOSFET开关速度的驱动电路,电路包括主驱动电路、栅极电压斜率检测电路、驱动电流调节电路,主驱动电路部分由电压图腾柱结构电路以及驱动电阻构成;栅极电压斜率检测电路部分由一个微分单元和四...
修强秦海鸿王守一张英付大丰
文献传递
一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法
本发明公开了一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法,所述驱动电路是针对一种非绝缘栅型GaN HEMT的无容式高速驱动电路,用于驱动GaN HEMT,包括高速开通电路、稳态驱动电路、关断电路和反相电路。通过所述驱...
张英秦海鸿彭子和修强徐华娟
文献传递
一种适用于SiC基桥臂功率电路的死区时间优化控制方法
本发明公开了一种适用于SiC基桥臂功率电路的死区时间优化控制方法,综合比较栅极电压下降到阈值电压的时间、沟道电流下降时间、漏源电压上升时间以及预设最大死区时间;栅极电压下降到阈值电压的时间可根据栅极驱动等效电路计算所得;...
张英秦海鸿董耀文余俊月刘赛德
文献传递
一种自适应调节SiC MOSFET开关速度的驱动电路
本发明公开了一种自适应调节SiC MOSFET开关速度的驱动电路,电路包括主驱动电路、栅极电压斜率检测电路、驱动电流调节电路,主驱动电路部分由电压图腾柱结构电路以及驱动电阻构成;栅极电压斜率检测电路部分由一个微分单元和四...
修强秦海鸿王守一张英付大丰
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响被引量:1
2019年
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。
彭子和秦海鸿修强张英荀倩
关键词:寄生电感
一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法
本发明公开了一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法,所述驱动电路是针对一种非绝缘栅型GaN HEMT的无容式高速驱动电路,用于驱动GaN HEMT,包括高速开通电路、稳态驱动电路、关断电路和反相电路。通过所述驱...
张英秦海鸿彭子和修强徐华娟
650V eGaN HEMT短路特性研究
2020年
增强型GaN HEMT(eGaN HEMT)可以大幅提升变换器的效率和功率密度,具有广泛的应用前景。但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通,以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT流过较大的电流。因此,为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工作,必须深入探究eGaN HEMT的短路工作原理以及电路参数对其短路特性的影响。本文首先建立了硬开关模式下的短路测试平台对eGaN HEMT的短路过程进行了研究,并利用eGaN HEMT热网络模型,分析了其短路过程中结温变化情况,进一步地探究了不同结温对其短路特性的影响。在此基础上对不同电路参数对eGaN HEMT短路特性的影响进行研究和对比,揭示了影响eGaN HEMT短路特性关键因素,为e GaN HEMT短路保护设计提供了一定的指导。
张英秦海鸿彭子和修强荀倩
关键词:HEMT短路特性短路保护温度依赖性
一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法
本发明实施例公开了一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法,涉及电气设备及电气工程技术领域,能够抑制大电流情况下电机桥臂MOSFET体二极管反向恢复问题,减小电机驱动电路损耗,提高系统效率。本发明包括:桥臂开关管,桥臂优化...
马策宇秦海鸿张英董耀文付大丰
文献传递
共4页<1234>
聚类工具0